「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)の会期初日に開かれた「Flash Below 20nm - What is coming and When?」と題するパネル・ディスカッションでは、大手メモリ・メーカー各社の担当者が登壇し、20nm世代以降に向けたNANDフラッシュ・メモリの技術戦略を語った。この場で明らかにされたのは、各社がいつ、どの技術世代を境にメモリ・セルを縦積みする3次元NANDフラッシュ・メモリ(以下、3次元NAND)へ移行しようとしているかだ。韓国Samsung Electronics社に続く形で、各社は相次いで3次元NANDのサンプル出荷時期を表明した。
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