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【FMS】3次元NANDのサンプル出荷時期、大手メーカーが相次ぎ表明

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2013/08/20 06:01
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SK Hynix社のCho氏
SK Hynix社のCho氏
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「3次元NANDへの移行時期は各社の戦略によって異なる」との展望示す
「3次元NANDへの移行時期は各社の戦略によって異なる」との展望示す
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Micron社のDennison氏
Micron社のDennison氏
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16nm世代の後は3次元へ移行
16nm世代の後は3次元へ移行
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Micron社の3次元NANDは256Gビットからスタート
Micron社の3次元NANDは256Gビットからスタート
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256Gビット品のチップ写真を披露
256Gビット品のチップ写真を披露
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SanDisk社のShrivastava氏
SanDisk社のShrivastava氏
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SanDisk社の技術ロードマップ
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1Znm世代へ移行する手法
1Znm世代へ移行する手法
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競合他社に比べて低コストの3次元NANDを量産する、と主張
競合他社に比べて低コストの3次元NANDを量産する、と主張
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 「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)の会期初日に開かれた「Flash Below 20nm - What is coming and When?」と題するパネル・ディスカッションでは、大手メモリ・メーカー各社の担当者が登壇し、20nm世代以降に向けたNANDフラッシュ・メモリの技術戦略を語った。この場で明らかにされたのは、各社がいつ、どの技術世代を境にメモリ・セルを縦積みする3次元NANDフラッシュ・メモリ(以下、3次元NAND)へ移行しようとしているかだ。韓国Samsung Electronics社に続く形で、各社は相次いで3次元NANDのサンプル出荷時期を表明した(関連記事)。

SK Hynixは128Gビット品を2013年内に

 韓国SK Hynix社から登壇したMyoung Kwan Cho氏(Research Fellow, Head of Flash Device Engineering Team E3, Flash Development Division)は、同社が16nm世代のNANDフラッシュ・メモリの開発を完了したことを明らかにした。現在、量産を立ち上げ中である。これと並行して3次元NANDの開発を進めているといい、「2013年末に(サンプル品の)出荷を開始する」(Cho氏)と話した。サンプル品の仕様は明らかにしなかったが、Samsung社の3次元NAND「V-NAND」と同様、チャージ・トラップ型のメモリ・セルを24段積層した128Gビット品を計画しているもようだ。

Micronは256Gビット品を2014年上期に

 米Micron Technology社のChuck Dennison氏(Senior Director, Process Integration)が語った同社の戦略は、SK Hynix社に近い。現在Micron社は16nm世代品をサンプル出荷中で、この次の技術世代では「3次元NANDへ移行したい」(Dennison氏)とする。サンプル出荷時期は2014年上期を予定している。Micron社は16nm世代の2ビット/セル(MLC)品で128Gビットのメモリ容量を実現しており、3次元NANDのサンプル品はこれをしのぐ256Gビットを予定しているという。メモリ・セルの積層数は30段を超える見通しである。

東芝・SanDiskは1Znm世代までの微細化を優先

 一方、NANDフラッシュ・メモリを東芝と共同で開発・生産している米SanDisk社から登壇したRitu Shrivastava氏(Vice President, Technology Development)は、現在量産中の19nm Advanced世代(SanDisk社の呼称では1Ynm世代)に続く「1Znm世代までは3次元NANDよりも(プレーナ構造の方が)コストで優位」だと語り、当面は微細化を優先する方針を示した。1Znm世代は既にフィージビリティ(実現可能性)の検証を終えているという。

 3次元NANDについては、第1世代品から「(プレーナ構造の)1Znm世代品よりも低コストにすることを狙っている」(Shrivastava氏)とし、2015年にサンプル出荷、2016年に量産を開始する計画としている。ただし、エンジニアリング・サンプル以前のプロトタイプ・サンプルについては、2013年度中にも出荷を開始する意向とみられる。

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