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TECHNO-FRONTIER 2013

ドライバICを同一パッケージに収めたGaNパワー・トランジスタなどをサンケン電気が出展

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/07/18 11:04
  • 1/1ページ
 サンケン電気は、GaNやSiCを利用したパワー素子を試作し、「テクノフロンティア2013」(2013年7月17~19日、東京ビックサイト)に出展した(図1)。GaNの方は、GaNパワー・トランジスタとドライバICを同一パッケージに収めたものを開発。同トランジスタとドライバICは別チップである。外形寸法が8mm×8mm×0.85mmのQFNパッケージに封止する。耐圧は600Vで、10A品と20A品の2種類がある。2013年度の量産を目指す(図2)。
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