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HOMEエレクトロニクスアナログTECHNO-FRONTIER 2013 > 富士通セミコンダクター、150V耐圧のGaNパワー・デバイスを製品化

TECHNO-FRONTIER 2013

富士通セミコンダクター、150V耐圧のGaNパワー・デバイスを製品化

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/07/11 23:48
  • 1/1ページ
 富士通セミコンダクターは、150V耐圧のGaN(窒化ガリウム)パワー・デバイス「MB51T008A」を開発し、2013年7月にサンプル出荷を始めると発表した。2014年中に量産を始める予定だ。特徴は、DC-DCコンバータなどの電源回路の電力損失を低減できる点にある。導通損失を決めるオン抵抗は13mΩで、スイッチング損失を決めるゲート電荷量は16nCといずれも小さい。同社によると、「競合となるSi系パワー・デバイスと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量の積であるFOM(figure of merit)を約1/2に削減した」という。データ通信機器や産業用電子機器、車載用電子機器の電源回路に向ける。
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