伊仏STMicroelectronics（ST）社は、28nm世代のFDSOI（完全空乏型SOI）トランジスタ技術で製造したプロセサ・コアの動作特性を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）で発表した（講演番号：JJ1-9）。英ARM社のプロセサ・コア「Cortex-A9」を2個集積した試作チップにおいて、基板バイアスを用いて2.6GHzの最大動作周波数を実現した。同社は既に28nm世代のFDSOIトランジスタ技術を用いたモバイル端末向けSoCを量産化しており、今回はその基盤技術の詳細を初めて明らかにした。
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