韓国Samsung Electronics社は、FinFET(立体トランジスタ)を用いる14nm世代以降の論理LSI向けプロセス技術について、「2013 Symposium on VLSI Technology」(2013年6月11~13日、京都市)で講演した(講演番号:T7-2)。チャネルのキャリア移動度を高めるために使うひずみ技術を、FinFETに対してどのように適用すれば電流駆動力やプロセス均一性、デバイス信頼性が高まるかを検証した。
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