仏CEA-Leti、スイスST-Ericsson社、伊仏STMicrolectronics社の共同チームは、TSV(Si貫通ビア)技術を用いてWide I/O DRAMとモバイルSoCを3次元積層した結果について、「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2013年6月11~14日、京都市)で発表した(講演番号C3-4)。講演タイトルは「A 0.9 pJ/bit, 12.8 GByte/s WideIO Memory Interface in a 3D-IC NoC-based MPSoC」。
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