米Intel社はトライゲート・トランジスタ(FinFET)技術を用いた22nm世代のDRAM混載SoC技術を開発し、「2013 Sympoium on VLSI Technology」(2013年6月11~13日、京都市)で発表した(講演番号:T2-1)。SoC混載メモリの集積密度としては過去最高という17.5Mビット/mm2を実現している。データ保持時間は95℃で100μs以上であり、動作速度は1GHz以上を実現できるとしている。講演では128Mビットの混載DRAMマクロの評価結果を示し、1Gビットのテスト・チップの写真も披露した。生産開始からわずか3カ月で、同社が22nm世代の論理LSIに混載しているSRAMと同等の製造歩留まりを達成したという。ただし、既に量産を開始しているか否かや、今後の量産計画については言及を避けた。
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