台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)はTSV(Si貫通ビア)のライナー絶縁膜にエアギャップ(空隙)を導入することで、TSVの寄生容量とTSV起因のストレスをそれぞれ抑制する技術を開発し、「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2013年6月11~14日、京都市)で発表した(講演番号T4-3)。講演タイトルは「An Integrated Air Gap Structure to Achieve High-Performance TSV Interconnects for 28nm 3D-IC Integration」。
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