「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）の開幕前日の2013年6月10日、スピントロニクスに関するサテライト・ワークショップ「2013 Spintronics Workshop on LSI」が開催された。この中で米Qualcomm社 Advanced Memory Technology担当のSeung H. Kang氏は「STT-MRAM for Mobile SOC：Status and Outlook」と題して講演し、モバイルSoCへのSTT-MRAM技術の応用シナリオなどを示した。
STT-MRAMは不揮発性メモリでありながら、DRAM並みの高速アクセス性能を実現でき、Gビット級の高集積化が可能で、しかも書き換え回数を事実上無制限にできると期待されている。このため、混載SRAMや混載DRAMといったキャッシュ・メモリや、DRAM（メイン・メモリ）の置き換えなど、幅広い用途が検討されている。
Kang氏によると、STT-MRAMをどのような用途に使うかによって、要求される技術項目は異なる。例えば、混載SRAMや混載DRAMの置き換えを狙う場合は、コスト（セル面積）よりもアクセス性能の高さが優先される。一方、混載フラッシュ・メモリの置き換えを狙う場合は、性能よりもデータ保持特性が重要になるという。スタンドアローンのDRAMの置き換えを狙う場合はコストが最優先であり、データ保持特性はさほど重視されないとした。
Qualcomm社ではSTT-MRAMの用途として、（1）混載フラッシュ・メモリの置き換えと、（2）混載SRAMまたは混載DRAMの置き換えの二つを検討している。（1）は40nm～16/14nm世代、（2）は16/14nm～7nm世代での利用を想定しているようだ。
このうち、特に重視しているのが（2）の用途で、具体的にはモバイル・プロセサのL3キャッシュにSTT-MRAMを利用することを想定している。現在、L3キャッシュにはセル面積の大きいSRAMが使われており、ここに1トランジスタ1MTJ構成のSTT-MRAMを利用することで、L3キャッシュの回路面積、すなわちチップ面積を大幅に削減できることが期待されるという。これによって、MTJ工程の追加によるコスト増を補ってチップ・コストも下げつつ、L3キャッシュの不揮発化による低消費電力化が狙える。
一方、L1キャッシュやL2キャッシュはより高い性能が求められるため、SRAM以外にふさわしいメモリは今のところ存在しないという。
消費電力70％減の可能性をシミュレーションで確認
