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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISPSD 2013 > 【ISPSD】GeneSiCが耐圧10kV級のSiC BJTを開発、Si IGBTに比べてスイッチング損失を約1/20に

ISPSD 2013

【ISPSD】GeneSiCが耐圧10kV級のSiC BJTを開発、Si IGBTに比べてスイッチング損失を約1/20に

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/06/01 10:10
  • 1/1ページ
 米GeneSiC Semicondutor社は、耐圧が約10kVと高いSiC BJT(バイポーラ・トランジスタ)を開発し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:6-1)。チップ・サイズが3.65mm角と7.3mm角の2種類を作成した。前者は、オン抵抗が110mΩcm2で電流増幅率は78、後者は同143mΩcm2で同75である。

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