• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスISPSD 2013 > 【ISPSD】GeneSiCが耐圧10kV級のSiC BJTを開発、Si IGBTに比べてスイッチング損失を約1/20に

ISPSD 2013

【ISPSD】GeneSiCが耐圧10kV級のSiC BJTを開発、Si IGBTに比べてスイッチング損失を約1/20に

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/06/01 10:10
  • 1/1ページ
 米GeneSiC Semicondutor社は、耐圧が約10kVと高いSiC BJT(バイポーラ・トランジスタ)を開発し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:6-1)。チップ・サイズが3.65mm角と7.3mm角の2種類を作成した。前者は、オン抵抗が110mΩcm2で電流増幅率は78、後者は同143mΩcm2で同75である。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ