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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISPSD 2013 > 【ISPSD】ルネサスが車載用の第3世代SJ-MOSFETを発表、低オン抵抗とEMI低減を両立

ISPSD 2013

【ISPSD】ルネサスが車載用の第3世代SJ-MOSFETを発表、低オン抵抗とEMI低減を両立

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/05/28 18:40
  • 1/1ページ
 ルネサス エレクトロニクスは、オン抵抗とEMI(電磁雑音)の両方を低減した耐圧30~40Vの車載用スーパー・ジャンクションMOSFET(SJ-MOSFET)を開発し、その詳細を「ISPSD 2013(主催:電気学会、2013年5月26~30日に石川県金沢市で開催)」で発表した(講演番号4-2)。SJ-MOSFETのゲート電極周りの寸法を水平方向と垂直方向の両方で縮小することにより、優れた特性を実現した。同社の車載用SJ-MOSFETとしては第3世代に当たり、ここ1~2年以内にも量産を開始する考えである。
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