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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISPSD 2013 > 【ISPSD】トヨタ自動車、電界集中とゲート-ドレイン電荷量を抑制した耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作

ISPSD 2013

【ISPSD】トヨタ自動車、電界集中とゲート-ドレイン電荷量を抑制した耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/05/28 01:14
  • 1/1ページ
 トヨタ自動車は、耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:2-1)。特徴は、MOSFETに加わる電界や、ゲートードレイン間の電荷量(Qgd)を抑制したことである。電界を抑えるほど耐圧の向上につながり、Qgdが小さいほどスイッチング損失の低減につながる。

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