• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスISPSD 2013 > 【ISPSD】トヨタ自動車、電界集中とゲート-ドレイン電荷量を抑制した耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作

ISPSD 2013

【ISPSD】トヨタ自動車、電界集中とゲート-ドレイン電荷量を抑制した耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/05/28 01:14
  • 1/1ページ
 トヨタ自動車は、耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:2-1)。特徴は、MOSFETに加わる電界や、ゲートードレイン間の電荷量(Qgd)を抑制したことである。電界を抑えるほど耐圧の向上につながり、Qgdが小さいほどスイッチング損失の低減につながる。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ