三菱電機は、SiC MOSFETのしきい値電圧とキャリア移動度のトレードオフを緩和する製造技術について、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：2-4）。SiC MOSFETは一般に、しきい値電圧を高くするほどキャリア移動度が低下し、キャリア移動度を向上させるほど、しきい値電圧が低下してしまう。このため、Si IGBTと同程度の5～6Vにしきい値電圧を設定すると、キャリア移動度が低くなりすぎる課題があった。しきい値電圧が低いほど、電磁雑音などによって誤オンする可能性が高まる。一方、キャリア移動度が低いとオン抵抗が大きくなる。
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