2013年5月26～30日に金沢で開催されるパワー半導体の国際学会「ISPSD 2013」を現地からリポートします。
連載
ISPSD 2013
ISPSD 2013、2013年5月26～30日に金沢にて開催
目次
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【ISPSD】Samsung Electronics、8インチのSi基板上にノーマリー・オフ型のGaNパワー素子を試作
韓国Samsung Electronics社は、口径8インチ（200mm）のSi基板上に、ゲートに正の電圧を印加すると導通する「ノーマリー・オフ動作」のGaNパワー素子を試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発…
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【ISPSD】GeneSiCが耐圧10kV級のSiC BJTを開発、Si IGBTに比べてスイッチング損失を約1/20に
米GeneSiC Semicondutor社は、耐圧が約10kVと高いSiC BJT（バイポーラ・トランジスタ）を開発し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：6-1）。チップ・サイズが3.65mm…
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【ISPSD】デンソー、製造工程の変更でリーク電流の抑制とオン抵抗の低減を実現した耐圧600Vのsuper junction MOSFETを試作
デンソーは、製造工程の変更でリーク電流の抑制とオン抵抗の低減を両立させた、耐圧600Vのsuper junction（SJ）構造のパワーMOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：L…
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【ISPSD】「2012年末から搭載済み」、小型・軽量化を図った直接水冷方式の車載向けIGBTモジュールを富士電機などが開発
富士電機と山梨大学のグループは、小型・軽量化を図った直接水冷方式の車載向けIGBTモジュールを開発し、その実現技術について、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：5-4）。耐圧は1200V、電流値は…
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【ISPSD】半導体メモリの雄、SamsungとSK HynixがパワーMOSFET技術を競う
「ISPSD 2013（2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催、主催：電気学会）」の会期3日目に開催されたポスター・セッションでは、韓国Samsung Electronics社と韓国SK Hynix社が、電力制御IC技術の開発成果をそれぞれ披露した。Samsung社の技術は自社のモバイル機…
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【ISPSD】ルネサスが車載用の第3世代SJ-MOSFETを発表、低オン抵抗とEMI低減を両立
ルネサス エレクトロニクスは、オン抵抗とEMI（電磁雑音）の両方を低減した耐圧30～40Vの車載用スーパー・ジャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号4－2）。S…
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【ISPSD】トヨタ自動車、電界集中とゲート-ドレイン電荷量を抑制した耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作
トヨタ自動車は、耐圧1400Vのトレンチ型SiC MOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：2-1）。特徴は、MOSFETに加わる電界や、ゲートードレイン間の電荷量（Qgd）を抑制…
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【ISPSD】三菱電機、SiC MOSFETのしきい値電圧とキャリア移動度のトレードオフを改善する製造技術を発表
三菱電機は、SiC MOSFETのしきい値電圧とキャリア移動度のトレードオフを緩和する製造技術について、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：2-4）。SiC MOSFETは一般に、しきい値電圧を高…
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【ISPSD】「SiC基板はペラペラに薄くすべし」、Infineonが裏面コンタクトの新手法
ドイツInfineon Technologies社は、SiCパワー半導体の製造工程において、SiC基板の厚さを初期状態の350μmから100μm前後にまで薄くするためのプロセス技術を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表し…
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【ISPSD】デンソーがダブルゲート構造のIGBTを開発、低い飽和電圧と高速スイッチングを両立
デンソーは、低い飽和電圧と高速のスイッチング動作を両立するSi-IGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号1-3）。ダブルゲート構造…
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【ISPSD】イスラエルTowerJazzが初出展、今夏に西脇工場でのパワー半導体の量産体制整う
アナログ半導体に特化したファウンドリー企業であるイスラエルTowerJazz社は、「ISPSD 2013」（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県立音楽堂（石川県金沢市）で開催）に同社として初めて同学会での展示ブースを構えた。同社は兵庫県西脇市に200mm工場を持ち、今後この拠点でパワ…
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【ISPSD】パワー半導体でも勢いづく東アジア勢、国際会議が金沢で開催
パワー半導体に関する国際会議「The 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs（ISPSD） 2013」（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県立音楽堂（石川県金沢市）で開催）の本セッションが、2…