半導体デバイス・プロセス技術に関する国際会議「2013 Symposium on VLSI Technology」が2013年6月10～13日にリーガロイヤルホテル京都（京都市）で開催される（関連記事）。同学会の論文委員がプレス発表向けに選んだ注目論文は、以下の9件である。米Intel社の混載DRAM技術やpMOSの高性能化技術、有機光電膜（OPF）を用いたCMOSセンサ、新型メモリ技術などが選ばれた。いずれも論文の評価ランキングにおいて上位15％以内に入っているという。 （1）Intel社はFinFET（トライゲート・トランジスタ）を用いた22nm世代の混載DRAM SoC技術について講演する（講演番号：T2-1）。同社は2012年のSymposium on VLSI Technologyにおいて22nm世代のFinFET技術を発表し、大きな注目を集めた（関連記事）。今回は低リークのFinFETを混載DRAMのセル・トランジスタとして利用し、同時に高性能トランジスタも同一チップ上に形成している。混載DRAMには高アスペクト比のMIM（metal insulator metal）キャパシタを用いたCOB（capacitor over bitline）構造を用いた。セル寸法は0.029μm2。95℃の高温環境下で100μs以上のデータ保持時間を実現した。
この記事は有料会員限定です
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
