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【MEMS2013続報】非冷却型赤外線センサ、検知部の極薄化で高感度に

三宅 常之=Tech-On!
2013/03/08 22:19
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製造プロセスを順に示した。最終段階では、XeF2による犠牲層エッチングで空洞化する。
製造プロセスを順に示した。最終段階では、XeF2による犠牲層エッチングで空洞化する。
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 2013年1月に開催されたMEMS関連の国際学会「IEEE MEMS 2013」では、非冷却型赤外線センサの熱検知部の厚みを10nm未満にして感度を高める技術が発表された(論文番号9A-2)。熱容量が小さくなるため、測定対象物が放射する赤外線を熱検知部が受けた際に温度がより上昇して感度や反応速度を高められる。

 開発した技術は、熱検知部の生成にALD(atomic layer deposition)技術を使う。MEMS技術で形成した30μm角の微小構造体に最小5.5nm厚のPt薄膜を形成する。Pt薄膜は、その下部を犠牲層エッチングによって取り除き、中に浮いた状態にしている。

 この学会では、赤外線センサのほか、角速度センサ(ジャイロスコープ)や圧力センサ、MEMS発振器の基になるSi共振子などの発表が相次いだ。Tech-On!では、2013年3月12日に技術セミナー『「MEMS 2013」学会報告』を開催、東北大学 江刺・田中研究室の田中秀治准教授が注目の成果を抽出して詳説する。

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