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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCC】TSMCが世界最小のセル面積を持つ20nm世代の112MビットSRAMを発表

ISSCC 2013

【ISSCC】TSMCが世界最小のセル面積を持つ20nm世代の112MビットSRAMを発表

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/23 01:36
  • 1/1ページ
 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)は20nm世代のプレーナ型high-k/メタル・ゲート技術で製造した112MビットSRAMについて「ISSCC 2013」で発表した(講演番号18.1)。セル面積は現時点で世界最小となる0.081μm2を達成している。
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