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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCC】TSMCが40nm世代の1MビットSTT-MRAMを開発、書き換え回数の向上手法を提案

ISSCC 2013

【ISSCC】TSMCが40nm世代の1MビットSTT-MRAMを開発、書き換え回数の向上手法を提案

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/21 08:24
  • 1/1ページ
 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)は、40nm世代のCMOS技術で製造した1MビットSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)を、「ISSCC 2013」で発表した(講演番号12.8)。SRAMやDRAMの代替に向けて、書き換え回数を1012回以上に高めることを狙った回路技術を提案している。
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