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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCC】ルネサス、40nm世代の車載マイコンに向ける混載フラッシュ・メモリ技術を披露

ISSCC 2013

【ISSCC】ルネサス、40nm世代の車載マイコンに向ける混載フラッシュ・メモリ技術を披露

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/20 15:52
  • 1/1ページ
 ルネサス エレクトロニクスは、40nm世代の車載マイコンに向ける混載フラッシュ・メモリ技術について、「ISSCC 2013」で講演した(講演番号12.2)。SG-MONOS(split gate metal-oxide-nitride-oxide-silicon)と呼ぶ独自のメモリ・セル構造を採用しており、ランダム・アクセス速度が160MHz以上と速いことに加えて、170℃という高温下でも動作する。ルネサスが、同社の車載マイコンの中核技術であるSG-MONOS型混載フラッシュ・メモリ技術の詳細を発表するのは、これが初めて。同社は2013年4~6月に40nm世代車載マイコンの第1弾製品のサンプル出荷を開始し、2014年度から量産する計画である。
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