• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCC】SanDiskと東芝が32Gビットの2層クロスポイント型ReRAMを発表

ISSCC 2013

【ISSCC】SanDiskと東芝が32Gビットの2層クロスポイント型ReRAMを発表

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/20 15:43
  • 1/1ページ
 米SanDisk社と東芝は共同で32Gビットの2層クロスポイント型ReRAM(抵抗変化型メモリ)を開発し、「ISSCC 2013」で発表した(講演番号12.1)。これまでNANDフラッシュ・メモリの代替を目指した大容量ReRAMの開発では、米Unity Semiconductor社(現在は米Rambus社が買収)が「ISSCC 2010」で報告した64Mビット品が最大規模だった。今回は、その500倍のメモリ容量を持つチップが報告されたことになる。
【技術者塾】
「1日でマスター、実践的アナログ回路設計」(2016年8月30日(木))


コツを理解すれば、アナログ回路設計は決して難しくはありません。本講義ではオペアンプ回路設計の基本からはじめて、受動部品とアナログスイッチや基準電圧などの周辺回路部品について学びます。アナログ回路設計(使いこなし技術)のコツや勘所を実践的に、かつ分かりやすく解説いたします。。詳細は、こちら
日時:2016年8月30日(火)10:00~17:00
会場:エッサム神田ホール(東京・神田)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓