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【ISSCC】SanDiskと東芝が32Gビットの2層クロスポイント型ReRAMを発表

木村 雅秀=日経エレクトロニクス
2013/02/20 15:43
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 米SanDisk社と東芝は共同で32Gビットの2層クロスポイント型ReRAM(抵抗変化型メモリ)を開発し、「ISSCC 2013」で発表した(講演番号12.1)。これまでNANDフラッシュ・メモリの代替を目指した大容量ReRAMの開発では、米Unity Semiconductor社(現在は米Rambus社が買収)が「ISSCC 2010」で報告した64Mビット品が最大規模だった。今回は、その500倍のメモリ容量を持つチップが報告されたことになる。

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