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HOMEエレクトロニクス電子設計ISSCC 2013 > 【ISSCC】Samsung、モバイルDRAMにおけるパワー・ゲーティングの重要性を強調

ISSCC 2013

【ISSCC】Samsung、モバイルDRAMにおけるパワー・ゲーティングの重要性を強調

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/18 16:10
  • 1/1ページ
 「ISSCC 2013」の会期初日の2月17日(米国時間)に開催された技術フォーラム「F2:VLSI Power-Management Techniques」では、韓国Samsung Electronics社 Principal Engineer, DRAM Design DivisionのSangho Shin氏が講師の一人として登壇し、DRAMの電力制御技術について講演した。
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