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HOMEエレクトロニクス電子設計ISSCC 2013 > 【ISSCC】TSMCがFinFETベース設計手法で講演、「フィンの高さばらつきのSRAMへの影響は軽微」

ISSCC 2013

【ISSCC】TSMCがFinFETベース設計手法で講演、「フィンの高さばらつきのSRAMへの影響は軽微」

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/18 15:47
  • 1/1ページ
 「ISSCC 2013」の会期初日の2月17日(米国時間)に開催されたチュートリアル「Circuit Design using FinFETs」では、台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.) Program Director, Chief Technology OfficeのBing J. Sheu氏が講師を務め、FinFETを用いたスタンダード・セルやSRAM、アナログ回路などの設計手法を紹介した。同社は2013年末にリスク量産を始める16nm世代でFinFETを導入する予定であり、FinFETに関しては「問題の洗い出しを済ませており、解決策も用意できている」(Sheu氏)とした。
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