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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCC】信頼性を従来比32倍に改善できるNAND/ReRAM統合ストレージ・システム、中央大学が開発

ISSCC 2013

【ISSCC】信頼性を従来比32倍に改善できるNAND/ReRAM統合ストレージ・システム、中央大学が開発

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/20 11:00
  • 1/1ページ
 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、NANDフラッシュ・メモリと抵抗変化型メモリ(ReRAM)を組み合わせた統合ストレージ・システムにおいて、信頼性を従来比32倍に改善できる制御技術を開発した。詳細を「ISSCC 2013」で発表する[講演番号12.9]。

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