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HOMEエレクトロニクス電子デバイスnano tech 2013 > 【ナノテク展】東芝、19nm世代プロセスを用いた128GビットNANDフラッシュ・メモリを出展

nano tech 2013

【ナノテク展】東芝、19nm世代プロセスを用いた128GビットNANDフラッシュ・メモリを出展

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/01/31 16:19
  • 1/1ページ
 東芝は、19nm世代プロセスで製造した128GビットNANDフラッシュ・メモリを集積した300mmウエハーを、「nano tech 2013(第12回 国際ナノテクノロジー総合展)」(東京ビッグサイト)に出展した。量産品としては業界最先端のプロセス技術を適用するとともに、3ビット/セル(triple level cell:TLC)の多値化技術を導入した。
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