• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスnano tech 2013 > 【ナノテク展】東芝、19nm世代プロセスを用いた128GビットNANDフラッシュ・メモリを出展

nano tech 2013

【ナノテク展】東芝、19nm世代プロセスを用いた128GビットNANDフラッシュ・メモリを出展

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2013/01/31 16:19
  • 1/1ページ
 東芝は、19nm世代プロセスで製造した128GビットNANDフラッシュ・メモリを集積した300mmウエハーを、「nano tech 2013(第12回 国際ナノテクノロジー総合展)」(東京ビッグサイト)に出展した。量産品としては業界最先端のプロセス技術を適用するとともに、3ビット/セル(triple level cell:TLC)の多値化技術を導入した。
【技術者塾】(5/17開催)
キャパシタ応用を広げるための基礎と活用のための周辺技術


省エネルギー社会に則した機器を、キャパシタを上手に活用しながら開発するために、その原理と特長、信頼性、長寿命化、高密度化、高出力化などのセル開発の進歩とキャパシタの持つ課題と対応技術まで、実践活用に役立つ応用事例を示しながら学んでいきます。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月17日
会場 : BIZ新宿
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ