Samsung，世界最高速度のアモルファス酸化物TFTを開発
韓国Samsungグループの技術研究機関であるSamsung Advanced Institute of Technology（SAIT）は，高速のアモルファス酸化物TFTを開発したと発表した。世界最高速度とする。従来の酸化物TFTでシングル・チャ…（記事を読む、12/16 15:09）
22nm以降向けポーラスlow-k膜，塗布による成膜時間をCVD並みに
半導体先端テクノロジーズ（Selete），アルバック，三井化学，産業技術総合研究所（産総研），NECエレクトロニクスは共同で，22nm世代以降に向けた層間絶縁膜技術を開発した（講演番号26.6）。比誘電率（k値）が2.1と低く，しかも機械的強度が高…（記事を読む、12/16 05:27）
「Late News」にIntelや東芝・NECエレ連合の32nmが登場
毎年恒例の「Late News」の内容が明らかになった。今回は全5件で，注目は32nmプロセス技術に関する米Intel Corp.（講演番号27.9）と東芝・NECエレクトロニクス連合（同27.8）の発表だ。（記事を読む、12/15 14:36）
不況の影響はここにも，参加者数が大幅減へ
世界経済の停滞は，米国時間12月15日に開幕する「2008 International Electron Devices Meeting（2008 IEDM）」にも打撃を与えそうだ。3日間の「Technical Session」への参加者数は，前回…（記事を読む、12/15 12:46）
炭素の状態変化で次世代メモリ，Qimondaが開発
ドイツQimonda AGは，IEDM 2008で，炭素の同素体を用いた次世代の不揮発性メモリ技術について発表する。（記事を読む、12/15 10:22）
延命技術から新型まで，メモリーは見どころ満載
12月15～17日に開催される「2008 International Electron Devices Meeting（2008 IEDM）」では，半導体メモリーに関する論文の充実ぶりが目立つ。DRAMやフラッシュ・メモリーの延命技術に加えて，これ…（記事を読む、12/14 13:53）
