IMEC,1100万画素のマイクロミラー・アレイを開発《訂正あり》

 ベルギーの研究機関であるIMECは,6層のCMOS回路を積層した10cm2の半導体チップ上に,8μm×8μmのマイクロミラーを1100万画素相当集積したデバイスを開発し,IEDM 2008で発表した。従来の「ほぼ2倍の集積度」…(記事を読む12/17 09:40

WiMAX対応の無線通信用パワー・アンプ,富士通研らがCMOS混載に道

 携帯機器の無線通信用パワー・アンプをCMOS回路に混載するための基礎技術を,富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスが共同開発した(講演番号19.1)。(記事を読む12/17 00:00

CMOSの限界を突破する低電力FET,新たな提案が相次ぐ

 米国時間12月15日に開幕した「2008 International Electron Devices Meeting(2008 IEDM)」では,CMOSの低消費電力化の限界を突破する新型FETの提案が相次いでいる。“Steep Slope FE…(記事を読む12/16 17:29

東大,有機FETなどで超音波撮像素子シートを試作

東京大学の研究グループは,IEDM 2008で超音波の送受信素子を格子状に並べて作製したフレキシブルな撮像素子シートを試作したと発表した(記事を読む12/16 15:57

Samsungや日立が酸化物半導体でTFTやメモリ,ウエアラブル・コンピュータを目指した例も

 韓国Samsungグループや日立製作所は,現在開催中のIEDM 2008で,インジウム(In),ガリウム(Ga),亜鉛(Zn)から成るアモルファス酸化物半導体(IGZO)を用いて試作した各種のTFTやメモリ構造についてそれぞれ発表した。(記事を読む12/16 15:12