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IEDM 2008

【2008 International Electron Devices Meeting】2008年12月15日~17日、米国サンフランシスコ

2008/12/01 00:00
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日立らが薄膜Siの発光素子で光増幅現象を確認

 日立製作所は,厚さ数nmと薄いSi層で発光素子を試作し,光の増幅現象を確認した(発表資料)。厚さ4.4nmのSi層に電流を流して発した光を素子内に閉じ込めることで,その光を増幅させた。これまで,Siのナノ粒子では光学的な利得が発生することは確認され…(記事を読む12/19 02:37

「DRAM混載SoCのさらなる強化に」,NECエレの32nm向け低電力技術

 NECエレクトロニクスは,32nm世代以降のSoC(system on a chip)に向けた二つの低電力技術を「2008 IEDM」で発表した。それぞれ,トランジスタと配線にかかわるもの。「強みを持つDRAM混載SoCなどのさらなる強化につなげる…(記事を読む12/18 20:08

IntelやIBMが成果を披露,続々出てきたIII-V族チャネルMOS FET

 「2008 IEDM」では,CMOS性能向上技術であるIII-V族半導体チャネルMOS FETに関する発表が相次ぎ,高い注目を集めた。CMOS応用を念頭においたIII-V族チャネルFETの論文数は,実験結果に関するものが10件,モデリングや理論計算…(記事を読む12/18 01:11

東芝ら,high-k/メタル・ゲートのしきい電圧制御のメカニズムを提案

 12月15日に開幕した「2008 IEDM」では,「Process Technology」分野の皮切りとして,“High-k Metal Gate Integration”のセッション(Session2)が開かれた。高誘電率(high-k)ゲート絶…(記事を読む12/17 16:46

Boston大,メタマテリアルでTHz波対応の「透明マント」を試作へ

 米Boston Universityは,現在開催中の「IEDM 2008」で,周波数が1THz前後(波長が300μm前後)の電磁波(THz波)に対して機能する「透明マント」を試作中であると発表した。(記事を読む12/17 14:16

ロームなどがCIGSイメージ・センサで発表,暗電流をi-ZnO層で抑え込む

 ロームと産業技術総合研究所は開催中の「IEDM 2008」で,2008年4月に公開した高感度のCIGS型イメージ・センサについて技術的な詳細を発表した。(記事を読む12/17 13:54

IMEC,1100万画素のマイクロミラー・アレイを開発《訂正あり》

 ベルギーの研究機関であるIMECは,6層のCMOS回路を積層した10cm2の半導体チップ上に,8μm×8μmのマイクロミラーを1100万画素相当集積したデバイスを開発し,IEDM 2008で発表した。従来の「ほぼ2倍の集積度」…(記事を読む12/17 09:40

WiMAX対応の無線通信用パワー・アンプ,富士通研らがCMOS混載に道

 携帯機器の無線通信用パワー・アンプをCMOS回路に混載するための基礎技術を,富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスが共同開発した(講演番号19.1)。(記事を読む12/17 00:00

CMOSの限界を突破する低電力FET,新たな提案が相次ぐ

 米国時間12月15日に開幕した「2008 International Electron Devices Meeting(2008 IEDM)」では,CMOSの低消費電力化の限界を突破する新型FETの提案が相次いでいる。“Steep Slope FE…(記事を読む12/16 17:29

東大,有機FETなどで超音波撮像素子シートを試作

東京大学の研究グループは,IEDM 2008で超音波の送受信素子を格子状に並べて作製したフレキシブルな撮像素子シートを試作したと発表した(記事を読む12/16 15:57

Samsungや日立が酸化物半導体でTFTやメモリ,ウエアラブル・コンピュータを目指した例も

 韓国Samsungグループや日立製作所は,現在開催中のIEDM 2008で,インジウム(In),ガリウム(Ga),亜鉛(Zn)から成るアモルファス酸化物半導体(IGZO)を用いて試作した各種のTFTやメモリ構造についてそれぞれ発表した。(記事を読む12/16 15:12

Samsung,世界最高速度のアモルファス酸化物TFTを開発

 韓国Samsungグループの技術研究機関であるSamsung Advanced Institute of Technology(SAIT)は,高速のアモルファス酸化物TFTを開発したと発表した。世界最高速度とする。従来の酸化物TFTでシングル・チャ…(記事を読む12/16 15:09

22nm以降向けポーラスlow-k膜,塗布による成膜時間をCVD並みに

 半導体先端テクノロジーズ(Selete),アルバック,三井化学,産業技術総合研究所(産総研),NECエレクトロニクスは共同で,22nm世代以降に向けた層間絶縁膜技術を開発した(講演番号26.6)。比誘電率(k値)が2.1と低く,しかも機械的強度が高…(記事を読む12/16 05:27

「Late News」にIntelや東芝・NECエレ連合の32nmが登場

 毎年恒例の「Late News」の内容が明らかになった。今回は全5件で,注目は32nmプロセス技術に関する米Intel Corp.(講演番号27.9)と東芝・NECエレクトロニクス連合(同27.8)の発表だ。(記事を読む12/15 14:36

不況の影響はここにも,参加者数が大幅減へ

 世界経済の停滞は,米国時間12月15日に開幕する「2008 International Electron Devices Meeting(2008 IEDM)」にも打撃を与えそうだ。3日間の「Technical Session」への参加者数は,前回…(記事を読む12/15 12:46

炭素の状態変化で次世代メモリ,Qimondaが開発

 ドイツQimonda AGは,IEDM 2008で,炭素の同素体を用いた次世代の不揮発性メモリ技術について発表する。(記事を読む12/15 10:22

延命技術から新型まで,メモリーは見どころ満載

 12月15~17日に開催される「2008 International Electron Devices Meeting(2008 IEDM)」では,半導体メモリーに関する論文の充実ぶりが目立つ。DRAMやフラッシュ・メモリーの延命技術に加えて,これ…(記事を読む12/14 13:53

ロジックLSIは32nmプロセスの完成版が登場,22nmの発表も

 電子デバイス技術に関する国際会議「2008 International Electron Devices Meeting(2008 IEDM)」が米国サンフランシスコで12月15~17日に開催される。ロジックLSIでは,2009~2010年の量産を…(記事を読む12/14 12:37

IBM,AMD,Freescaleが「世界最小のSRAM」開発,22nm互換プロセスで

米IBM Corp.,米Advanced Micro Devices,Inc.,米Freescale Semiconductors,Inc.の3社は,IEDM 2008で22nm世代プロセスに互換な技術で開発したSRAMについて発表する。(記事を読む12/11 17:31

Intelが32nmプロセスを開発,2009年に量産へ

 米Intel Corp.は米国時間の2008年12月9日,32nm世代のプロセス技術を用いた半導体チップの開発が完了したと発表した。2009年第4四半期にはこの技術を用いてマイクロプロセサを量産する予定という。(記事を読む12/10 18:48

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