日立らが薄膜Siの発光素子で光増幅現象を確認
日立製作所は，厚さ数nmと薄いSi層で発光素子を試作し，光の増幅現象を確認した（発表資料）。厚さ4.4nmのSi層に電流を流して発した光を素子内に閉じ込めることで，その光を増幅させた。これまで，Siのナノ粒子では光学的な利得が発生することは確認され…（記事を読む、12/19 02:37）
「DRAM混載SoCのさらなる強化に」，NECエレの32nm向け低電力技術
NECエレクトロニクスは，32nm世代以降のSoC（system on a chip）に向けた二つの低電力技術を「2008 IEDM」で発表した。それぞれ，トランジスタと配線にかかわるもの。「強みを持つDRAM混載SoCなどのさらなる強化につなげる…（記事を読む、12/18 20:08）
IntelやIBMが成果を披露，続々出てきたIII-V族チャネルMOS FET
「2008 IEDM」では，CMOS性能向上技術であるIII-V族半導体チャネルMOS FETに関する発表が相次ぎ，高い注目を集めた。CMOS応用を念頭においたIII-V族チャネルFETの論文数は，実験結果に関するものが10件，モデリングや理論計算…（記事を読む、12/18 01:11）
東芝ら，high-k/メタル・ゲートのしきい電圧制御のメカニズムを提案
12月15日に開幕した「2008 IEDM」では，「Process Technology」分野の皮切りとして，“High-k Metal Gate Integration”のセッション（Session2）が開かれた。高誘電率（high-k）ゲート絶…（記事を読む、12/17 16:46）
Boston大，メタマテリアルでTHz波対応の「透明マント」を試作へ
米Boston Universityは，現在開催中の「IEDM 2008」で，周波数が1THz前後（波長が300μm前後）の電磁波（THz波）に対して機能する「透明マント」を試作中であると発表した。（記事を読む、12/17 14:16）
ロームなどがCIGSイメージ・センサで発表，暗電流をi-ZnO層で抑え込む
ロームと産業技術総合研究所は開催中の「IEDM 2008」で，2008年4月に公開した高感度のCIGS型イメージ・センサについて技術的な詳細を発表した。（記事を読む、12/17 13:54）
