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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > IEDM 2008

日立らが薄膜Siの発光素子で光増幅現象を確認

 日立製作所は,厚さ数nmと薄いSi層で発光素子を試作し,光の増幅現象を確認した(発表資料)。厚さ4.4nmのSi層に電流を流して発した光を素子内に閉じ込めることで,その光を増幅させた。これまで,Siのナノ粒子では光学的な利得が発生することは確認され…(記事を読む12/19 02:37

「DRAM混載SoCのさらなる強化に」,NECエレの32nm向け低電力技術

 NECエレクトロニクスは,32nm世代以降のSoC(system on a chip)に向けた二つの低電力技術を「2008 IEDM」で発表した。それぞれ,トランジスタと配線にかかわるもの。「強みを持つDRAM混載SoCなどのさらなる強化につなげる…(記事を読む12/18 20:08

IntelやIBMが成果を披露,続々出てきたIII-V族チャネルMOS FET

 「2008 IEDM」では,CMOS性能向上技術であるIII-V族半導体チャネルMOS FETに関する発表が相次ぎ,高い注目を集めた。CMOS応用を念頭においたIII-V族チャネルFETの論文数は,実験結果に関するものが10件,モデリングや理論計算…(記事を読む12/18 01:11

東芝ら,high-k/メタル・ゲートのしきい電圧制御のメカニズムを提案

 12月15日に開幕した「2008 IEDM」では,「Process Technology」分野の皮切りとして,“High-k Metal Gate Integration”のセッション(Session2)が開かれた。高誘電率(high-k)ゲート絶…(記事を読む12/17 16:46

Boston大,メタマテリアルでTHz波対応の「透明マント」を試作へ

 米Boston Universityは,現在開催中の「IEDM 2008」で,周波数が1THz前後(波長が300μm前後)の電磁波(THz波)に対して機能する「透明マント」を試作中であると発表した。(記事を読む12/17 14:16

ロームなどがCIGSイメージ・センサで発表,暗電流をi-ZnO層で抑え込む

 ロームと産業技術総合研究所は開催中の「IEDM 2008」で,2008年4月に公開した高感度のCIGS型イメージ・センサについて技術的な詳細を発表した。(記事を読む12/17 13:54

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