東芝,45nm世代のゲート集積度が約30%向上,レイアウト依存性考慮の回路シミュレーションを活用

東芝は,回路シミュレーション・モデルの・マスク・レイアウト依存性を従来よりも緻密に考慮する技術を開発し,LSIのゲート集積度を向上させたと発表した。45nm世代の論理LSIの設計に今回の技術を適用したことで,ゲート集積度を65nm世代の2.6倍に向上…(記事を読む06/19 18:00

167プロセサ内蔵LSIや次世代の車載向け画像処理プロセサに注目

2008年6月18日から開催されているLSI回路技術の国際会議「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 3「Parallel Processing」では,信号処理向けのマルチコア・プロセサおよび画像処理向けの…(記事を読む06/19 17:04

ナノワイヤーFETが独立セッションに,試作段階を脱し性能向上に焦点

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,究極構造のFETとして注目されるナノワイヤーFETに関するセッションが初めて組まれた(Session 4)。ナノワイヤーFETの研究は,従来のデバイス試作段階から,性能向上…(記事を読む06/19 10:04

東芝のフィンFET,3方向からのひずみ印加で駆動力を2倍以上に

 東芝は,フィンFETのチャネルに3方向からひずみを加えることにより,電流駆動力を2倍以上に高められることを実証した。3米国ホノルルで開催中の「2008 Symposium on VLSI Technology」で詳細を発表した(講演番号2.4,…(記事を読む06/18 20:21

NECらのSoC低コスト化手法,ロジック部とメモリー部を1種類のメタル・ゲートで構成

 NECとNECエレクトロニクスは共同で,高速・大容量のメモリーを混載する32nm世代以降のSoC(system on a chip)を低コストで製造する手法を開発した(講演番号5.3,ニュース・リリース)。ロジック部とメモリー部に必要…(記事を読む06/17 21:35

日立製作所ら,補助電源でLSI内部の電圧降下を補う

 日立製作所とルネサス テクノロジは,補助電源を使ってLSI回路ブロックの電圧降下を補う技術を共同開発した。詳細は2008年6月18~20日に米国ホノルルで開かれる「2008 Symposium on VLSI Circuits」で発表する。(記事を読む06/17 02:30