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VLSI Symposium 2008

【2008 Symposium on VLSI Circuits】2008年6月17日~6月20日、米国ホノルル

2008/06/17 00:00
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日立と東大,プログラムに応じた動作制御でスパコン向けLSIの消費電力を低減する技術を開発

 日立製作所と東京大学は,スーパーコンピュータに搭載したマルチコアLSIの動作周波数と基板電圧を,実行するプログラムのパターンに応じてプロセサ・コアごとに制御することでLSIの消費電力を削減する技術を開発した。プログラムのパターンによって,集積した複…(記事を読む06/24 13:39

高速有線通信向けのトランシーバ技術がそろう,CMOSで40Gビット/秒を初めて実現

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 20「High Speed Transceivers」では,高速有線通信向けのトランシーバ技術がそろった。開催2日目(6月19日)の夜のランプ・セッションにおいて,高…(記事を読む06/23 18:52

1チップ・ラジオを実現するための無線トランシーバ技術などに注目

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 12「PLLs and Wireless Transceivers」では,PLLで2件,および1チップ・ラジオを実現するための無線トランシーバに関する2件の発表があっ…(記事を読む06/23 18:35

低消費電力化技術は応用ごとに深化へ

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 19「Power-Aware Processing」では,既出のプロセサ技術をベースとしながらも,処理の性質を巧みにとらえアーキテクチャ・回路・設計を取捨選択するとい…(記事を読む06/23 18:09

PLLのデジタル化を加速させる技術が続々登場

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 9「Frequency Synthesis Components」では,無線・有線通信回路の中核となる,周波数シンセサイザ(PLL)の要素回路技術として,(1)位相差…(記事を読む06/23 17:05

これからのクロック・信号分配技術は「信頼性」がカギ

これまでクロックや信号のチップ内分配技術は,高速な信号をいかに低電力で分配できるかが中心課題だったが,65nm世代から45nm世代にプロセス技術が微細化するに伴い,配線やトランジスタの不良の増加,電源雑音の増大による動作不良など,LSIの「信頼性」に…(記事を読む06/23 16:31

世界市場を視野にマルチスタンダード,マルチモードを競うCMOS無線IC

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 10「Multi-Standard RF」は,携帯電話機から無線LAN,モバイルTVチューナーなどにおいて,世界市場に展開する上で不可欠なマルチスタンダード対応に関す…(記事を読む06/23 15:59

パイプラインA-D変換器の消費電力削減に向けた新しいアイデア

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 22「Pipelined A/D Converters」では,10 ビット以上の高分解能をねらうパイプライン型A-D変換器の消費電力を大幅に低減する回路設計のアイデア…(記事を読む06/23 12:23

60~120GHz無線受信IC技術が続々,活発な質疑応答が交わされる

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 16「60‐120GHz Wireless Receivers」は,キャリア周波数60GHz以上のミリ波無線受信ICに役立つさまざまなアイデアが登場し,活発な質疑応答…(記事を読む06/23 11:26

NECらのLSI配線技術,MOS FETとのコンタクト部までをCu/low-k化

 NECとNECエレクトロニクスは共同で,LSIの多層配線とMOS FETをつなぐコンタクト部の抵抗と寄生容量を低減する技術を開発し,「2008 Symposium on VLSI Technology」で発表した(講演番号11.1)。W(タングステ…(記事を読む06/22 17:32

メタル・ゲートの“第3の候補”,FUSIにも仕事関数制御の新手法

  「2008 Symposium on VLSI Technology」では,ダマシン・ゲート,キャップ層を利用するMIPS(metal inserted poly-Si stack)と並ぶ,メタル・ゲートの第3の候補と言えるFUSI(fully …(記事を読む06/21 23:50

今年も熱いバラつきの議論,プロセス技術やデバイス構造で押え込む

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,前回に続きMOS FETの特性バラつきに関するセッションが組まれ,4件の発表が行われた(Session 16)。このセッション以外でも,多くの発表で特性バラつきのデータが紹…(記事を読む06/21 22:02

浸透するレーザー・アニール技術,ショットキー接合やひずみに応用

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,チャネル移動度の向上に向けた新たなひずみ印加技術が報告される一方で,チャネルに次いでCMOS性能のボトルネックとなるソース・ドレインの低抵抗化技術に関する提案も相次いだ。C…(記事を読む06/21 20:47

Intelやソニー,pMOSの性能向上におけるゲート・ラスト・プロセスの優位性を実証

 高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲート・スタックをソース・ドレインよりも後に形成するゲート・ラスト(gate-last)・プロセスに関しては,米Intel Corp.(講演番号13.2)とソニー(同13.1)がそれぞれ,ダマシン・ゲー…(記事を読む06/21 17:38

「high-k/メタル・ゲート+ひずみ」の成果,相次ぎ登場

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを採用したトランジスタにおいて,ストレス・ライナー(CESL:contact etch stop layer)やストレス…(記事を読む06/21 16:12

SSDの低電力化技術やRambus社の新型超高速DRAMインタフェースが登場

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 13 「Low Power Memory and Interface Techniques」は,日立製作所とルネサス テクノロジ,ルネサス北日本セミコンダクタによるS…(記事を読む06/21 15:30

光vs電気,「どちらがいつ勝つのか」を議論

「2008 Symposium on VLSI Circuits」の開催2日目(6月19日)の夜,ランプセッション「Photons vs. Electrons-Which Will Win and When?(The Ongoing Race for…(記事を読む06/21 15:27

発表が目白押しのhigh-k/メタル・ゲート,焦点はプロセス統合や性能向上手法へ

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜とメタル・ゲート(以下HKMG)に関する発表が目白押しだった。会期初日と2日目だけで,HKMGを冠したセッションが3つ,発表は15件余り…(記事を読む06/21 15:15

SRAMのバラつき対策技術が集まる,6トランジスタ型の限界を追求

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 5「SRAM Variability」では,SRAMの特性バラつきに向けた回路技術が集まった。(記事を読む06/20 16:23

超高速,低電力,65 nm世代のA-D変換器が登場

「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 2 「High-Speed Data Converters」は,5ビット~6ビットの分解能で1 G~10 Gサンプル/秒の高速なアナログ・デジタル変換(ADC)を,6…(記事を読む06/20 15:35

米Aptina Imaging,4K2Kを60フレーム/秒で撮影可能な1.25型CMOSセンサを発表

 米Micron Technology, Inc.の Aptina Imaging部門は,4112×2168画素(約890万画素)の1.25型CMOSイメージ・センサ「MT9E501」を発表した。日本放送協会(NHK)のスーパーハイビジョンを目指すプ…(記事を読む06/20 10:27

NECエレの40nm世代SRAM,high-k膜でバラつき抑え低電圧動作を可能に

 NECエレクトロニクスは,MOS FETのしきい電圧のバラつきを低減する手法を開発し,「2008 Symposium on VLSI Technology」で発表した(講演番号16.2)。MOS FETのゲート絶縁膜の組成を制御することにより,チャ…(記事を読む06/20 05:00

「Technology」は新分野の発表が増加,「Circuits」との交流を深める試みも

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,前回(2007年)に比べて,メモリーとバラつきに関する発表が増えたほか,新型トランジスタ,ナノワイヤー,カーボン・ナノチューブ(carbon nanotube),グラフェン…(記事を読む06/19 22:43

東芝,45nm世代のゲート集積度が約30%向上,レイアウト依存性考慮の回路シミュレーションを活用

東芝は,回路シミュレーション・モデルの・マスク・レイアウト依存性を従来よりも緻密に考慮する技術を開発し,LSIのゲート集積度を向上させたと発表した。45nm世代の論理LSIの設計に今回の技術を適用したことで,ゲート集積度を65nm世代の2.6倍に向上…(記事を読む06/19 18:00

167プロセサ内蔵LSIや次世代の車載向け画像処理プロセサに注目

2008年6月18日から開催されているLSI回路技術の国際会議「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 3「Parallel Processing」では,信号処理向けのマルチコア・プロセサおよび画像処理向けの…(記事を読む06/19 17:04

ナノワイヤーFETが独立セッションに,試作段階を脱し性能向上に焦点

 「2008 Symposium on VLSI Technology」では,究極構造のFETとして注目されるナノワイヤーFETに関するセッションが初めて組まれた(Session 4)。ナノワイヤーFETの研究は,従来のデバイス試作段階から,性能向上…(記事を読む06/19 10:04

東芝のフィンFET,3方向からのひずみ印加で駆動力を2倍以上に

 東芝は,フィンFETのチャネルに3方向からひずみを加えることにより,電流駆動力を2倍以上に高められることを実証した。3米国ホノルルで開催中の「2008 Symposium on VLSI Technology」で詳細を発表した(講演番号2.4,…(記事を読む06/18 20:21

NECらのSoC低コスト化手法,ロジック部とメモリー部を1種類のメタル・ゲートで構成

 NECとNECエレクトロニクスは共同で,高速・大容量のメモリーを混載する32nm世代以降のSoC(system on a chip)を低コストで製造する手法を開発した(講演番号5.3,ニュース・リリース)。ロジック部とメモリー部に必要…(記事を読む06/17 21:35

日立製作所ら,補助電源でLSI内部の電圧降下を補う

 日立製作所とルネサス テクノロジは,補助電源を使ってLSI回路ブロックの電圧降下を補う技術を共同開発した。詳細は2008年6月18~20日に米国ホノルルで開かれる「2008 Symposium on VLSI Circuits」で発表する。(記事を読む06/17 02:30

富士通研ら,数百nsの短時間で回路電源を復帰できる技術を開発

 富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスは共同で,数百nsの短時間でLSIの回路ブロックをオフ状態からオン状態に復帰できる回路技術を開発した。詳細は2008年6月18~20日に米国ホノルルで開かれる「2008 Symposium on VLSI…(記事を読む06/17 00:02

富士通の32nm向けCMOS技術,新規メタル・ゲート材料を使わず低コスト化

 富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスは共同で,32nm世代向けCMOSを低コストで製造する手法を開発した。フルシリサイド(FUSI)によるメタル・ゲートをpMOSのみに導入する。追加工程によるコストの増分は1%以下という。CMOSの消費電力…(記事を読む06/17 00:00

【9月18日(金)開催】
高精細映像時代に向けた圧縮符号化技術の使いこなし方
~H.265/HEVCの基礎から拡張・応用技術とその活用における心得~


本セミナーでは高品質、高信頼、高効率に製品化するために標準化された高圧縮符号化技術、H.265/HEVCについて、その基盤となった符号化技術の進展から映像・製品特性に適切に圧縮符号化技術を使いこなす上で知っておきたい基本とH.265/HEVCの標準化、実装、製品化に向けた基礎及び拡張技術の理解と活用の勘所等について詳解します。詳細は、こちら
会場:中央大学駿河台記念館 (東京・御茶ノ水)

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