富士通，安価なミリ波レーダに向けてCMOSで77GHz帯の増幅器を開発
富士通研究所は，CMOS技術を使って77GHz帯に利用可能なパワー・アンプを開発したと発表した。設計ルールに90nm世代を使い，電源電圧1.2V時の飽和出力は6.3dBmで，利得は8.5dBを実現した。これまでは，化合物半導体であるGaAsを使うこ…（記事を読む、02/04 14:13）
網膜チップやバクテリア確認用センサ，バイオ分野の発表も相次ぐ
今回のISSCCでは，ヘルスケア分野に向けたエレクトロニクス技術の新たな可能性を示す発表が多数予定。関連した領域として，バイオ分野に向けた発表も見逃せない。 例えば網膜チップについては，ドイツIMS-CHIPS社とドイツUniversity…（記事を読む、12/25 14:28）
多値NANDフラッシュの実効書き込み速度が34Mバイト/秒に向上
米SanDisk Corp.と東芝は，2ビット/セルの多値技術を採用しながら，書き込み時の実効的なデータ転送速度が34Mバイト/秒と高い16GビットNANDフラッシュ・メモリをISSCC 2008で発表する（講演番号23.1）。（記事を読む、12/21 11:59）
ランダム・アクセス周波数が500MHzと速い混載DRAMマクロ，TSMCがバルクCMOSで実現
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，Ltd.（TSMC）は，バルクCMOS基板を使いながら，ランダム・アクセス時の周波数が500MHzと高い1Mビットの混載DRAMマクロを発表する（講演番号14.1）。（記事を読む、12/21 11:47）
東芝とSanDisk，43nm世代の16Gビット多値NANDフラッシュを発表
東芝と米SanDisk Corp.は，43nm世代の製造技術と2ビット/セルの多値技術の採用で実現した16GビットNANDフラッシュ・メモリを発表する（講演番号23.6）。（記事を読む、12/20 10:21）
UWBで体外から心臓や肺を撮る撮像素子，米大学が詳細を発表へ
米University of Southern California（USC）は，ISSCC 2008で「A CMOS UWB Camera with 7×7 Simultaneous Active Pixels」というタイトルで講演する（講演番号6…（記事を読む、12/18 19:22）
