セルの3次元積層が早くも大規模チップに，Samsungが45nm世代の多値4GビットNANDに適用
韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.は，2個のメモリ・セルを3次元的に積層した45nm世代の4Gビット多値NANDフラッシュ・メモリを「ISSCC 2008」で発表した（講演番号28.3）。（記事を読む、02/07 14:27）
3ビット/セルのNANDが初登場，SanDiskと東芝が56nm世代の16G品で書き込み速度を8Mバイト/秒に
米SanDisk Corp.と東芝は，3ビット/セルの多値技術に基づく56nm世代の16GビットNANDフラッシュ・メモリを「ISSCC 2008」で発表した(講演番号28.1)。（記事を読む、02/07 12:38）
東芝が可変容量型のRF MEMS，2010年の実用化目指す
東芝は，次世代携帯電話機などマルチバンド無線通信機器の低コスト化と小型化を見込めるRF MEMSデバイスを開発した。今後，量産化に向けて開発をさらに進め，2010年の実用化を目指す。（記事を読む、02/07 08:15）
松下電器産業，外部メモリなしにMOSイメージ・センサのダイナミック・レンジを拡大する技術を開発
松下電器産業は，明暗比（ダイナミック・レンジ）が140dB（1000万倍）と広く，リアルタイムの動画撮影が可能なMOSイメージ・センサの回路技術を開発したと発表した。従来の一般的なイメージ・センサのダイナミック・レンジは60dB（1000倍）程度だ…（記事を読む、02/06 20:13）
ベルギーIMECが有機RFIDタグ，ペンタセンTFT414個で論理回路を実現
ベルギーの研究機関IMECとオランダTNOは，ISSCC 2008で，有機RFIDについて講演した（講演番号15.3）。有機半導体材料としてペンタセンを用いたTFT（thin film transistor）を414個集積して論理回路を構成した。通…（記事を読む、02/06 19:05）
東芝，32Mビットで833MHz動作の混載DRAM技術を開発
東芝は，LSI混載向けメモリーの新技術として，32Mビットの容量で833MHz動作のDRAMを開発したと発表した。今後，このDRAMを65nm世代の画像処理LSIに埋め込み，同LSIの高速化等につなげる。（記事を読む、02/06 18:33）
