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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > IEDM 2009

パナソニック,GaNトランジスタを6個集積した1チップ・インバータを開発,素子間耐圧は900Vを確保

パナソニックは,GaN系半導体を使ったトランジスタで構成したインバータICを開発し,半導体製造技術関連の国際学会「2009 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2009)」で発表した(論文…(記事を読む12/14 09:00

NECエレ,ランダム・テレグラフ・ノイズの分析で新手法,トラップの分布を推測

NECエレクトロニクスは,微細なトランジスタで発生するバラつきの一つである,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の分析で新手法を考案した。RTNが発生すると,トランジスタの特性が動作中に変化し,最悪の場合,誤動作に至る。製造起因のバラつきが時間的に…(記事を読む12/10 21:55

40nm世代の低電力CMOSで超高速アナログ動作,NECエレが低抵抗Cu配線技術を開発

NECエレクトロニクスは,40nm世代の低消費電力CMOS技術を用いて,アナログ回路を超高速に動作させるための低抵抗Cu配線技術を開発した。(記事を読む12/10 12:43

Intel社,32nm世代の高性能プロセサ向け製造技術を発表,駆動電流はまたも記録更新

米Intel Corp.は,高性能マイクロプロセサに向けた32nm世代のロジック製造技術を「IEDM 2009」で発表した(論文番号28.4)。(記事を読む12/10 12:32

Intel社,32nm世代のSoC向けプロセス技術を発表,3種類のトランジスタを同一チップに集積可能

米Intel Corp.は,32nm世代のSoC(system on a chip)に向けたプロセス・プラットフォーム技術を,米国ボルチモアで開催されている半導体製造技術の国際会議「2009 IEEE International Electron D…(記事を読む12/10 12:18

IMECら,振動発電のMEMS素子で85μWを実現

ベルギーの研究機関IMECとオランダの研究機関Holst Centre,同TNOは,振動のエネルギーを電力に変換するMEMS素子を開発し,最大85μWの電力を得られたと「2009 IEEE International Electron Devices…(記事を読む12/09 19:38

有機半導体でRFID,50kビット/秒のデータ転送速度を実現

 オランダの研究機関Holst Centre,同TNO,ベルギーIMECは,RFID向けのトランスポンダ回路を有機半導体で作製し,50kビット/秒のデータ転送速度を確認した。(記事を読む12/09 18:45

東芝が22nm世代のテクノロジー・ブースターの効果を詳細に評価,「動作速度を34%向上できる」

東芝は,トランジスタの性能向上技術(テクノロジー・ブースター技術)による22nm世代以降での性能向上について,トランジスタのチャネル部に流れる電流の決定因子を正確に測定する技術を開発した。(記事を読む12/09 10:51

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