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IEDM 2009

【2009 IEEE International Electron Devices Meeting】2009年12月7日~9日、米国ボルチモア

2009/12/07 00:00
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パナソニック,GaNトランジスタを6個集積した1チップ・インバータを開発,素子間耐圧は900Vを確保

パナソニックは,GaN系半導体を使ったトランジスタで構成したインバータICを開発し,半導体製造技術関連の国際学会「2009 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2009)」で発表した(論文…(記事を読む12/14 09:00

NECエレ,ランダム・テレグラフ・ノイズの分析で新手法,トラップの分布を推測

NECエレクトロニクスは,微細なトランジスタで発生するバラつきの一つである,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の分析で新手法を考案した。RTNが発生すると,トランジスタの特性が動作中に変化し,最悪の場合,誤動作に至る。製造起因のバラつきが時間的に…(記事を読む12/10 21:55

40nm世代の低電力CMOSで超高速アナログ動作,NECエレが低抵抗Cu配線技術を開発

NECエレクトロニクスは,40nm世代の低消費電力CMOS技術を用いて,アナログ回路を超高速に動作させるための低抵抗Cu配線技術を開発した。(記事を読む12/10 12:43

Intel社,32nm世代の高性能プロセサ向け製造技術を発表,駆動電流はまたも記録更新

米Intel Corp.は,高性能マイクロプロセサに向けた32nm世代のロジック製造技術を「IEDM 2009」で発表した(論文番号28.4)。(記事を読む12/10 12:32

Intel社,32nm世代のSoC向けプロセス技術を発表,3種類のトランジスタを同一チップに集積可能

米Intel Corp.は,32nm世代のSoC(system on a chip)に向けたプロセス・プラットフォーム技術を,米国ボルチモアで開催されている半導体製造技術の国際会議「2009 IEEE International Electron D…(記事を読む12/10 12:18

IMECら,振動発電のMEMS素子で85μWを実現

ベルギーの研究機関IMECとオランダの研究機関Holst Centre,同TNOは,振動のエネルギーを電力に変換するMEMS素子を開発し,最大85μWの電力を得られたと「2009 IEEE International Electron Devices…(記事を読む12/09 19:38

有機半導体でRFID,50kビット/秒のデータ転送速度を実現

 オランダの研究機関Holst Centre,同TNO,ベルギーIMECは,RFID向けのトランスポンダ回路を有機半導体で作製し,50kビット/秒のデータ転送速度を確認した。(記事を読む12/09 18:45

東芝が22nm世代のテクノロジー・ブースターの効果を詳細に評価,「動作速度を34%向上できる」

東芝は,トランジスタの性能向上技術(テクノロジー・ブースター技術)による22nm世代以降での性能向上について,トランジスタのチャネル部に流れる電流の決定因子を正確に測定する技術を開発した。(記事を読む12/09 10:51

IBM,グラフェンFETで50GHzの遮断周波数を達成,RF適用が視野に

米IBM T.J. Watson Research Centerは,グラフェンFETの遮断周波数(fT)を50GHzに高めることに成功した。(記事を読む12/09 10:45

45nm世代のSTT MRAMをTSMCとQualcommが共同開発,低電力CMOSロジックへの混載向け

台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.(TSMC)と米Qualcomm Inc.は,45nm世代のスピン・トランスファー・トルク(spin transfer torque:STT)方式MRAMを共同…(記事を読む12/09 10:40

7μm厚の極薄ウエーハでもCMOSデバイスに影響なし,東大らが実証

東京大学大学院 工学系研究科附属総合研究機構は,ディスコや大日本印刷,富士通研究所,WOWリサーチセンターなどと共同で,300mmウエーハ(Si基板)を厚さ7μmまで薄化する技術を開発した。例えば,この技術を用いて16Gバイトのメモリー・チップを10…(記事を読む12/09 05:00

45nm世代の相変化メモリ技術をNumonyx社が開発,1Gビット品を試作

スイスNumonyx B.V.は,45nm世代の相変化メモリ(phase change memory:PCM)向けの製造技術を「IEDM 2009」で発表した(論文番号5.7)。(記事を読む12/08 14:23

東芝が新たな半導体素子評価技術を開発,SSRMを用い,広範囲の濃度数値化や任意箇所での計測が可能に

東芝は,走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM:scanning spreading resistance microscopy)を応用した新しい半導体素子の評価技術を開発した。(記事を読む12/08 14:10

NECら,パワー素子向けにしきい値電圧を調整しやすくしたノーマリー・オフ型GaN系FETを試作

 NECとNECエレクトロニクスは,パワー素子向けに,しきい値電圧の値を調整しやすくしたGaN系FETを開発した。導通するために印加するゲート電圧が正である,いわゆるノーマリー・オフ動作が可能である。基板には安価なSi基板を利用する。2011年の実用…(記事を読む12/08 07:54

東芝,スピンMOS FETの基本動作を実証

 東芝は,電子スピンを利用して不揮発性などの新機能を実現するMOS FET(スピンMOS FET)を試作し,その基本動作を実証した(論文番号9.2)。業界初の成果という。論理の再構成が可能(リコンフィギュラブル)なロジックLSIなどに向けて,2010…(記事を読む12/08 07:00

0.5Vで動作するSRAM,東京大学らが強誘電体FETで実現

 わずか0.5Vで駆動できるSRAMを,東京大学と産業技術総合研究所が共同で開発した(論文番号11.7)。SRAMの動作時電力を従来比で32%削減でき,セル面積も増大しない。SRAMを構成する6個のMOS FETを,強誘電体FET(MOS FETのゲ…(記事を読む12/08 07:00

「デバイス・スケーリングは11nmより先に行ける」,IBMが半導体の将来を語る

半導体製造技術関連の国際会議「IEDM 2009」の開幕前日の2009年12月6日に, 2件のショート・コースが開催された。(記事を読む12/07 13:40

恒例の「Late News」,16nm世代のSRAMセルや,IBMのトライゲートSRAMなど5件が登場

半導体製造技術関連の国際会議「IEDM 2009」の開幕前日に当たる2009年12月6日に,毎年恒例の「Late News Paper」の内容が明らかになった。Late News Paperは,開催前日に,会場で明らかになる,「隠し玉」の発表が集まっ…(記事を読む12/07 13:35

ボルチモア開催の今年は約1100人が参加の見込み,名物の分厚い論文集が姿を消す

半導体製造技術関連で最大規模の国際会議「2009 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2009)」が米国ボルチモアで2009年12月7日に開幕する。(記事を読む12/07 13:28

【9月15日(火)開催】触るインタフェース(応用編)
~ウエアラブルと身体性から読み解く次世代インタフェース~


ウエアラブルデバイスで触覚情報を利用するための基礎と最新技術や、全身触覚と身体性に着目した新しい触覚インタフェースの新潮流について解説する。この分野に精通する3人の講師が、様々な研究開発例とその実装方法を紹介する。詳細は、こちら
会場:BIZ新宿 (東京・西新宿)

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