SSDの高速化，ノーマリーオフ・システムを狙った新原理不揮発メモリに注目
「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 8「Special Non-Volatile Memories」では，東京大学らによるNAND接続の強誘電体メモリ，東北大学らの磁性メモリを用いた高速起動のFPG…（記事を読む、06/17 08:30）
TSVを用いた3次元LSIがメインストリーム技術になるための要件を議論
「2009 Symposium on VLSI Technology」と「2009 Symposium on VLSI Circuits」の合同で企画されたジョイント・ランプ・セッションでは，「Is TSV 3D LSI’s and Packagi…（記事を読む、06/17 08:28）
東芝が多値・32Gビットの3次元NAND型フラッシュを開発
東芝は，2ビット/セルの多値化技術を導入した3次元構造のNAND型フラッシュ・メモリー“P-BiCS（Pipe-shaped Bit Cost Scalable）”を開発した【講演番号7-1】。60nmプロセスによるメモリー・セルを16段積層させた
東京大学ら，SSDのランダム書き込みを2倍に高速化，データ・センターなどに向ける
東京大学と産業技術総合研究所は共同で，不揮発性のページ・バッファを備えた強誘電体NANDフラッシュ・メモリを開発した。（記事を読む、06/16 09:21）
セル面積4F2の相変化メモリーが登場，日立がクロスポイント型で実現
4F2（Fは設計ルール）のセル面積を業界で初めて実現したクロスポイント型の相変化メモリー（PCM：phase change memory）を，日立製作所が開発した【講演番号2B-1】。設計ルールは80nmで，セル面積は「…（記事を読む、06/15 22:00）
東芝，16nm世代以降のLSIに適用可能なMIS型トランジスタのゲート絶縁膜積層技術を開発
東芝は，16nm世代以降のLSIに用いられるMIS型トランジスタに適用可能な新しいゲート絶縁膜の積層技術を開発した。今回開発した技術は，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜と，ゲルマニウム（Ge）チャネルとの間に「ストロンチウムジャーマナイド」とい…（記事を読む、06/15 20:44）
