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VLSI Symposium 2009

2009年6月15日~6月18日、京都

2009/06/15 00:00
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進化する離散時間アナログ回路,無線トランシーバLSIへの適用を目指す

京都で開催された「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 14「Discrete-Time Analog」では,無線トランシーバLSIへの適用を目指して,離散時間アナログ回路に関するさまざまなアイデアが登場し…(記事を読む06/26 20:40

サブ32nm世代向けインテグレーション技術が相次ぐ

 6月15~17日に開催された「2009 Symposium on VLSI Technology」のCMOSインテグレーションに関するセッション(Session11A)では,熱のこもった4件の発表があった。米SEMATECH Inc.がサブ32nm…(記事を読む06/26 14:48

ミリ波トランシーバ,高集積化に加え要素回路でも新技術が続々

 「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション24「MM-Wave Techniques」では,77GHz帯を用いた車載レーダ用高集積度ミリ波トランシーバ・チップと,60GHz帯を用いた広帯域ミリ波通信用トランシーバ…(記事を読む06/22 17:46

信号処理LSIの高性能化や低消費電力化は設計階層間の枠を超えた協調設計がカギに

「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 28「Signal Processing」では,設計階層間の枠を超え総合的に最適化するという方向性が顕著だった。(記事を読む06/22 13:00

逐次比較型A-D変換器の低消費電力化手法の提案が相次ぐ

「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション23「Low Power ADC」では,いずれもユニークな低消費電力化手法を提案する4件の発表があった。(記事を読む06/19 19:49

SoC埋め込みSRAMのセッション,米IntelのNehalem-EXの3次キャシュなどが登場

京都で開催された「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 15「SRAMs and Clock Circuits」では,SoCに埋め込むSRAMに関連した講演が4件あった。最初の2件は,米Intel Corp…(記事を読む06/19 19:28

60GHzの周波数シンセサイザやRazavi教授によるコグニティブ無線用の周波数生成技術に注目集まる

 「Symposium on VLSI Circuits」のセッション12「Clock Generation」では,計5件の発表があった。人気を集めたのは,最初の発表で,RF回路と電子回路の教育で著名な米University of Californi…(記事を読む06/19 14:34

ディープなアナログ・アンプ技術について明瞭かつ洗練された発表が続々

 「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション20「Analog Techniques」では,無線用パワーアンプ,時間差アンプ,計測アンプ,そして無線用ローノイズ・アンプを高性能化するアイデアが報告された。米Inte…(記事を読む06/19 14:13

汎用市場狙う新型不揮発性メモリー,高集積化と高性能化が進む

 新型不揮発性メモリーについては,開発メーカーが,汎用市場への参入を狙って高集積化と高速・低消費電力化に焦点を当てた開発を進めている。今回のシンポジウムでは,セッション11Bと12Aから計4件の発表があった。セッション11Bでは,128MビットのFe…(記事を読む06/19 00:17

各社の量産を控えたhigh-k/メタル・ゲート,発表にも成熟感

 高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲート(HK/MG)に関する今回の発表の特徴は,デバイス・メーカー各社の量産またはそれに準じる段階に進み,探索的な性格の発表が減少したことである。そうした状況においても,MOS FETのしきい電圧調整は…(記事を読む06/18 21:00

LSIの経年劣化を予測して,チップの信頼性を向上させる技術をIntelやNEC,NXPらが発表

 最初に登壇した米University of Minnesotaは,BTI(bias temperature instability)とHCI(hot carrier injection),TDDB(time dependent dielectric…(記事を読む06/18 19:03

DRAMに4F2セルが登場,Rambus社はモバイル向けインタフェースを発表

 「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション13「DRAM and Interface」では,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.による縦型セル・トランジスタを用いた4F2…(記事を読む06/18 15:56

Circuitsの基調講演,ナノエレや医療エレ,人体通信を紹介

 2009年6月16日から京都で始まった「2009 Symposium on VLSI Circuits」は世界的に経済状況が悪い中でも参加者が430名を超え,盛況の中で開幕した。初日は,富士通研究所の横山氏と米Medtronic Neuromodu…(記事を読む06/18 11:57

医療から画像伝送まで,BAN応用を拡大する低消費電力CMOSトランシーバ技術

 「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション4「Biomedical and Personal Technology」では,医療用途から音楽・映像伝送まで広範囲な応用が期待されるBAN(Body Area Netw…(記事を読む06/18 11:13

CMOSの特性バラつき,原因究明や抑制手法に進展

 CMOS LSIにおいて,素子の微細化に伴う特性バラつきの増加が大きな問題として顕在化してきている。バラつきの要因を把握し,抑制することは緊急度の高いテーマとなっており,デバイス各社が開発の注力度を高めている。こうした状況を反映して,「2009 S…(記事を読む06/17 23:13

フラッシュ・メモリのさらなる高密度化を狙い3次元化などの各種技術が続出

「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 3「Non-Volatile and Fuse Memories」は,さらなる高密度化を目指したフラッシュ・メモリの2件の発表から始まった。(記事を読む06/17 09:17

SSDの高速化,ノーマリーオフ・システムを狙った新原理不揮発メモリに注目

「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 8「Special Non-Volatile Memories」では,東京大学らによるNAND接続の強誘電体メモリ,東北大学らの磁性メモリを用いた高速起動のFPG…(記事を読む06/17 08:30

TSVを用いた3次元LSIがメインストリーム技術になるための要件を議論

 「2009 Symposium on VLSI Technology」と「2009 Symposium on VLSI Circuits」の合同で企画されたジョイント・ランプ・セッションでは,「Is TSV 3D LSI’s and Packagi…(記事を読む06/17 08:28

東芝が多値・32Gビットの3次元NAND型フラッシュを開発

 東芝は,2ビット/セルの多値化技術を導入した3次元構造のNAND型フラッシュ・メモリー“P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)”を開発した【講演番号7-1】。60nmプロセスによるメモリー・セルを16段積層させた…(記事を読む06/17 05:00

東京大学ら,SSDのランダム書き込みを2倍に高速化,データ・センターなどに向ける

東京大学と産業技術総合研究所は共同で,不揮発性のページ・バッファを備えた強誘電体NANDフラッシュ・メモリを開発した。(記事を読む06/16 09:21

セル面積4F2の相変化メモリーが登場,日立がクロスポイント型で実現

 4F2(Fは設計ルール)のセル面積を業界で初めて実現したクロスポイント型の相変化メモリー(PCM:phase change memory)を,日立製作所が開発した【講演番号2B-1】。設計ルールは80nmで,セル面積は「…(記事を読む06/15 22:00

東芝,16nm世代以降のLSIに適用可能なMIS型トランジスタのゲート絶縁膜積層技術を開発

 東芝は,16nm世代以降のLSIに用いられるMIS型トランジスタに適用可能な新しいゲート絶縁膜の積層技術を開発した。今回開発した技術は,高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜と,ゲルマニウム(Ge)チャネルとの間に「ストロンチウムジャーマナイド」とい…(記事を読む06/15 20:44

性能がペタフロップスの1000倍のエクサスケール・コンピューティング,実現に向けてIBMが挙げたキー技術とは?

半導体製造技術関連の国際会議「2009 Symposium on VLSI Technology」が2009年6月15日に京都で開幕した。開幕日の朝一番に始まるPlenary Session(全体会議)において,米IBM Corp.が,ペタフロップス…(記事を読む06/15 19:02

日立と米IBM,ゲート長20nmのトランジスタでランダム・テレグラフ・ノイズの定量測定に成功

日立製作所と米IBM Corp.は,ゲート長20nmのトランジスタで発生するランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)を定量的に確認したと発表した。具体的には,RTNが原因のしきい電圧値が平均値の10倍以上の幅でバラつくケースが0.1%の割合で存在するこ…(記事を読む06/15 12:33

NECエレ,40nm世代以降に向けたアナログ回路用バックグラウンド補正技術を開発

 一般にアナログ回路は,製造プロセスの微細化の恩恵を受けにくい。製造ばらつきによって,線形性などの特性が悪化するからだ。  現在,この特性悪化を補正する手法がさまざま提案されている。例えば,高精度な基準信号源を使う手法や,デジタル信号処理で補正をか…(記事を読む06/15 09:01

NECら,書き込み電流を1ケタ低減できる混載向けMRAM技術を開発

 NECとNECエレクトロニクスは共同で,書き込み電流を従来に比べて1ケタ低減できる混載向けMRAM技術を開発した。先端SoC(system on a chip)の混載メモリに利用できるほか,論理回路のレジスタに応用すれば待機時電力ゼロのSoCを実現…(記事を読む06/15 09:00

ランダム・テレグラフ・ノイズの定式化にNECエレが成功,22nm以降の耐バラつき設計の確度が向上

NECエレクトロニクスは,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の影響を定式化することに成功したと発表した。RTNは微細なトランジスタで発生するバラつきの一つで,それによってトランジスタの特性が動作中に変化し,回路が誤動作する恐れがある。これまでにも…(記事を読む06/15 00:00

「違うソサエティの知恵を求めるようになった」,東大の平本氏に技術潮流の変化を聞いた

 新しい材料や原理を使った半導体デバイス技術の発表が相次ぐ今回の「Symposium on VLSI Technology」。こうした動きの背景には,どのような技術潮流の変化があるのだろうか。同シンポジウムのプログラム委員であり,東京大学 生産技術研…(記事を読む06/14 22:48

開幕を明日に控え,登録者数は「SARS」の影響受けた2003年以来の低水準

 半導体デバイス/回路技術に関する国際学会「Simposia on VLSI Technology and Circuits」が明日,6月15日に開幕する。最近のデバイス関連学会の多分にもれず,参加者数は例年に比べて大幅に減少しそうだ。「不景気の影響…(記事を読む06/14 22:17

6月に京都で開催するLSI回路技術の国際会議「VLSI Circuitsシンポ」の注目論文,16件を一挙紹介

2009 Symposium on VLSI Circuitsが6月16日-18日に京都で開催される。その注目論文を,プログラム委員会が報道機関向けに発表している。以下に,それらの論文の概要を紹介する。(記事を読む05/18 12:59

6月に京都で開催する半導体技術の国際会議「VLSI Technologyシンポ」の注目論文,11件を一挙紹介

2009 Symposium on VLSI Technologyが6月15日-17日に京都で開催される。その注目論文を,プログラム委員会が報道機関向けに発表している。以下に,それら論文の概要を紹介する。(記事を読む05/18 12:58

3次元LSIなどの新機軸が目白押し,プログラム委員会が開催概要を発表

 「2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits」のプログラム委員会は,2009年6月15~18日に京都市で開催される同シンポジウムの概要について,5月13日の記者会見で発表した。「Technology」…(記事を読む05/13 21:43

【9月18日(金)開催】高精細映像時代に向けた圧縮符号化技術の使いこなし方
~H.265/HEVCの基礎から拡張・応用技術とその活用における心得~


本セミナーでは高品質、高信頼、高効率に製品化するために標準化された高圧縮符号化技術、H.265/HEVCについて、その基盤となった符号化技術の進展から映像・製品特性に適切に圧縮符号化技術を使いこなす上で知っておきたい基本とH.265/HEVCの標準化、実装、製品化に向けた基礎及び拡張技術の理解と活用の勘所等について詳解します。詳細は、こちら
会場:中央大学駿河台記念館 (東京・御茶ノ水)

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