インダクタレスUWBトランシーバやWiMAX/無線LAN 2モード・トランシーバが登場

 「International Solid-State Circuits Conference 2009(ISSCC 2009)」の「Session 24:Wireless Connectivity」では,インダクタレスUWBトランシーバやWiMAX…(記事を読む02/13 10:43

PLLの性能向上,今年はアナログ・サンプリング技術が注目株

 「ISSCC 2009」の「Session 23:PLLs and Clocks」では,アナログ・サンプリング技術を駆使したPLLが登場し,注目株となった。米Arizona State Universityと米Intel Corp.のグループや,オ…(記事を読む02/13 10:43

CMOSアナログによる小型高精度化が,温度センサ,MEMSマイクロホン,ジャイロからバイオナノセンサまで進む

Session 20 「Sensors and MEMS」では, CMOSアナログ回路技術による小型で高精度なセンサやMEMSの発表が相次いだ。最初の米Intel社による32nmマイクロプロセサへのオンチップ温度センサ(論文番号20.1)以降は,全て…(記事を読む02/13 10:28

SSD応用を目指すには,大容量NAND技術とともに低電力技術が必須に

「ISSCC 2009」のSession 13「Flash Memory」は,NANDフラッシュ・メモリとNANDフラッシュ・メモリを使ったストレージのSSDに関する6件の発表があった。(記事を読む02/12 19:56

東芝とSanDisk社,32nm世代と3ビット/セルで32GビットNANDメモリを113mm2で実現

東芝と米SanDisk Corp.は,32nm世代のプロセス技術と3ビット/セルの多値技術を使った32GビットNANDフラッシュ・メモリを「ISSCC 2009」で発表した。(記事を読む02/12 19:26

ミリ波帯のトランシーバが目白押し

「ISSCC 2009」の「Session 18:Ranging and Gb/s Communication」では,富士通研究所が世界初となる77GHz帯のCMOSトランシーバを発表した。この他にも米University of California…(記事を読む02/12 19:17

64GビットNANDフラッシュ・メモリがついに登場,SanDisk社と東芝が4ビット/セルで実現

米SanDisk Corp.と東芝は,4ビット/セルの多値技術に基づく64GビットNANDフラッシュ・メモリを「ISSCC 2009」で発表した。(記事を読む02/12 18:16

NANDメモリを64チップ積層した極小SSDに向け,慶應大学らが誘導結合の無線通信技術を開発

慶應義塾大学らは,64個のNANDフラッシュ・メモリ・チップを3次元積層してSSD(solid state drive)を実現するための誘導結合通信技術を「ISSCC 2009」で発表した。(記事を読む02/12 16:52

富士通研,77GHz車載レーダ送受信ICをCMOSで小型化

 富士通研究所は開催中のISSCC 2009で,77GHz帯のミリ波を利用した車載レーダ用送受信ICを90nm世代のCMOS技術で開発したと発表した。チップ寸法は1.2mm×2.4mmで,3mm角だった従来の同社製GaAsチップに比べてチップ寸法を小…(記事を読む02/12 15:35