東京大学など，厚さ10μm未満のウエハーにFeRAMや論理回路を形成，「100チップ積層メモリを2mm以内で」

東京大学は，富士通マイクロエレクトロニクス（現富士通セミコンダクター），大日本印刷，富士通研究所，ディスコと共同で，厚さを10μm未満に薄くした半導体ウエハーに強誘電体メモリ（FeRAM）やCMOS論理回路を形成し，薄型化の前後でデバイス特性にほぼ変…（記事を読む、06/17 19:15）

医療用途の超低電力SoCが続々と登場

　今後急増が見込まれる，医療用途に特化した超低消費電力SoCの発表が「2010 Symposium on VLSI Circuits」（2010年6月16～18日，米国ハワイ州ホノルルで開催）のSession 2“Medical and Vision…（記事を読む、06/17 19:02）

SRAＭのばらつきを「見える化」する観測技術が続出，しきい値電圧を製造後に適正化する技術も

　「2010 Symposium on VLSI Circuits」のセッション4「SRAM Variability」は，SRAMの低電圧化や大容量化をさらに推し進めるために各社が直面している量産レベルのばらつきやダイナミックな電源ノイズの特性への影…（記事を読む、06/17 17:33）

ルネサスが無線コネクタ技術を開発，直径1mmのアンテナで1cmの距離を伝送

　ルネサス エレクトロニクスは2010年6月16日（米国時間），直径1mmのオンチップ・アンテナで1cmの距離を15Mビット/秒のデータ転送速度で通信できる無線技術を，「2010 Symposium on VLSI Circuits」で発表した（講演…（記事を読む、06/17 12:00）

SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法，東大とSTARCが開発

　トランジスタの製造バラつきに起因するSRAMの動作不安定性を，チップ製造後のテスト工程で改善する手法を，東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと半導体理工学研究センター（STARC）が共同で開発した。0.5Vといっ…（記事を読む、06/17 10:10）

IBM連合，面積が0.063μm2と業界最小のSRAMセルを開発，22nm世代に向けフィンFETと既存の露光技術で実現

米IBM Researchと米GLOBALFOUNDRIES Inc.，Toshiba America Electronic Components Inc.，NECエレクトロニクス（現ルネサス エレクトロニクス）は，セル面積が0.063μm…（記事を読む、06/16 19:04）

22nm以降を担うFD-SOIデバイスとフィンFET，実用化間近の技術が続々

　現行のバルクMOSFETの微細化が難しくなる22nm世代以降のトランジスタ技術として，プレーナ（平面）型のFD-SOI（完全空乏型SOI）デバイスと立体チャネルによるフィンFETが注目を集めている。いずれも，チャネルに不純物を添加しないで済むことか…（記事を読む、06/16 17:59）

多値のスピン注入MRAMが登場，2個のTMR素子を3次元積層しビット・コストを半減

日立製作所は東北大学と共同で，多値（multi level cell：MLC）記憶が可能なスピン注入方式MRAM（spin-transfer torque memory：SPRAM）を，2010年6月15日に米国ホノルルで開幕した半導体製造技術関連の…（記事を読む、06/16 17:27）

東芝，40nm世代のSoCに向けた低電圧SRAM技術を発表

　東芝は，2009年から量産中の40nm世代のSoCに採用している低電圧SRAM技術を，「2010 Symposium on VLSI Technology」（2010年6月15～17日，米国ハワイ州ホノルル）で発表した（論文番号：3.3）。携帯機器…（記事を読む、06/16 06:00）

TSVなどの3次元技術を立ち上げるには「サプライ・チェーン全体での対応が必要」

半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」の開幕前日に開催されたショート・コース「Emerging Logic and Memory Technologies for VLSI Implemen…（記事を読む、06/15 19:36）

NANDは「チャージ・トラップ+3次元」で進化，ReRAMは「10nm未満の世代でNAND代替の可能性も」

半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」の開幕前日に当たる2010年6月14日に，次世代の論理LSIやメモリ技術に焦点を当てた「Emerging Logic and Memory Techno…（記事を読む、06/15 18:47）