今回，中国Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyのXinxin Liさん（以前，我々の研究室で研究員をしていましたが，今は中国で最も活躍しているMEMS研究者の一人です）のグループから，とてもよく考えられた圧力センサが発表されました(論文番号：3A-6)。(111) Si基板に細い溝を加工し，そこから基板内部をアルカリエッチャントでアンダーエッチングして空洞を作り，前述の細い溝をポリSiで塞いでダイヤフラムを形成します。これは，ドイツRobert Bosch社の”silicon on nothing”型の圧力センサ（Lammel et al., Transducers ’07）と同じように，裏面エッチングや基板接合なしに，ダイヤフラムとその下の圧力基準空間とを作る技術ですが，陽極化成や水素アニールといった特殊プロセスを利用しない点でより簡単だと言えます。Liさんが言うに，中国にたくさんある標準的なSiファンドリですぐに作れるものです。
今回は，この圧力センサがさらに片持ちで基板内に支えられ，外部からの応力に影響されないように工夫されています。パッケージング・実装時の応力による影響をいかに抑えるかは，圧力センサでも課題の一つだからです。このような形にするのにも，同様に細い溝から基板内部をアンダーエッチングする加工法が採られています。出来上がったセンサは1 mm角を大きく下回る大きさで，センサ主要部は500 μm四方程度しかありません。製造方法も比較的簡単であり，安い気圧センサとして期待が持てます。中国が請負製造だけから脱皮する日は近いのでしょうか。
もう1件，米Stanford大学のThomas Kenny先生の研究室からも圧力センサの発表がありました（論文番号：3A-5）。この圧力センサは，Kenny先生とRobert Bosch社の加工技術でつくられ，SiTimeから実用化されているSiクロック共振子を応用したもので，圧力によってダイヤフラム（共振子のパッケージングと共通）が歪むと共振周波数が変化する原理を用いています。この原理の圧力センサは，横河電機で後に東京農工大学の教授となられた池田先生（御退職）が中心になって開発され，”DPharp”という商品名で実用化されています。実はこの共振式圧力センサの共振子の気密封止方法も，米SiTime社のSiクロック共振子のそれとよく似ているのですが，池田先生らの技術は1980年代には既に開発されていましたから（Ikeda et al., 7th Sensors Symposium (1988)），日本のMEMSはとても進んでいたと言えます。
さて，新しく発表された共振式圧力センサの特徴は，静電共振子が三つ備えられ，一つは圧力測定用，一つは温度補正用（圧力に感じないように片持ちで支えられています），最後の一つはパッケージング・実装歪の補正用（ダイヤフラムから外れたところに作製されています）です。三つ目の機能は，前述のLiさんが取り組んだのと同じ課題に対処するものです。このセンサの大きさは1.5 mm角程度です。
