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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > IEDM 2010

半導体デバイス技術関連で最大規模の国際会議「2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)」が米国サンフランシスコで2010年12月6日に開幕。

「グラフェンFETは論理LSIにも使える」,IBMなどがオン/オフ比の向上手法を提案

 インドIndian Institute of Scienceと米IBM Corp.は,2層グラフェン(bilayer graphene)をチャネルに用いたFET(2層グラフェンFET)のオン/オフ比を高める手法を開発した(講演番号32.4)。従来提…(記事を読む12/13 12:33

パナソニックとIMEC,遺伝子情報検査チップ向けに,微小ポンプとDNAフィルタを共同開発

パナソニックとベルギーIMECは,両機関が共同で開発を進めているSNP(single nucleotide polymorphism)検査チップの中間成果について,「IEDM 2010」で発表した。SNP検査チップは,数μℓ(マイクロリッ…(記事を読む12/12 02:41

Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリ技術を発表,浮遊ゲート型セルを採用

 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,メモリ・セルを3次元に多段積層するNANDフラッシュ・メモリ(3次元NAND)に向けたセル技術「Dual Control-Gate with Surrounding Floating-Gate…(記事を読む12/09 17:45

メタル・ソース・ドレインを備えるIII-V族チャネルFETを自己整合プロセスで,東大などが実現

 東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授の高木信一氏らのグループは,産業技術総合研究所,住友化学と共同で,III-V族化合物半導体をチャネルに用いたMOSFETに,自己整合プロセスによってメタル・ソース・ドレインを形成する手法を開…(記事を読む12/09 17:39

TSVがCMOS回路に与える影響,STなどが65nm世代のウエハーで解析

 フランスCEA-LETI,同Universite de Savoie,伊仏STMicroelectronics社は共同で,65nm世代のCMOS回路を形成したSiウエハーにTSV(Si貫通ビア)を作り込んだ場合に,TSVがCMOS回路の特性に与える…(記事を読む12/09 17:05

富士通研,熱電変換と太陽電池を一体化した発電素子を有機材料で開発

 富士通研究所は,光エネルギーと熱(温度差)エネルギーのどちらかを選んで電力に変換できる発電素子を有機材料で開発した。(記事を読む12/09 12:08

IBM,セル面積最小の高性能DRAM混載技術を開発,32nm世代のHKMG SOI技術で実現

米IBM Corp.は,メモリ・セル面積が0.039μm2と業界最小の高性能DRAM混載技術を開発した(講演番号27.5)。(記事を読む12/09 11:44

ルネサスが28nm以降のSoC生産委託で一手,キャパシタを配線層に埋め込むDRAM混載技術を開発

 ルネサス エレクトロニクスは,ファウンドリー企業に生産委託する28nm世代以降のSoCに向けたDRAM混載技術を開発した(講演番号33.3)。従来はトランジスタ層と配線層の間に設けていたキャパシタを配線層に埋め込むことにより,ファウンドリーが論理L…(記事を読む12/09 09:43

数十個のチャネル不純物の分布がMOSトランジスタ特性に与える影響,早稲田大学などが実デバイスで検証

 早稲田大学とNTT物性科学基礎研究所,東北大学は共同で,MOSトランジスタ中の数十個のチャネル不純物の分布がトランジスタ特性に与える影響を解析した(講演番号26.5)。不純物原子を1個ずつチャネルに注入する「単一原子ドーピング(single ato…(記事を読む12/09 09:00

「これでRTNがほぼ再現可能に」,ルネサスが時間変動の解析手法を開発

 ルネサス エレクトロニクスは,微細なMOSトランジスタにおいて,時間的に変動するランダム・バラつきであるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)について,その時間変動を統計的に解析する手法を開発した(講演番号28.3)。22nm以降といった先端世代の…(記事を読む12/09 07:00

MITがグラフェンFETで1.4GHzでの周波数逓倍動作を実証,「THz動作も実現可能」

 米Massachusetts Institute of Technology(MIT)は,単層グラフェンをチャネルに用いたFETを作製し,1.4GHzでの周波数逓倍動作を確認した(講演番号23.6)。従来は40MHzまでの動作にとどまっていた。フィ…(記事を読む12/08 17:19

TSMCがTSVを用いた3次元LSI技術を発表,28nm以降での量産化を視野に

 台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)は,TSV(Si貫通ビア)を用いて半導体チップを3次元積層する,3次元LSIの量産化に向けた取り組みを発表した(講演番号2.1)。TSVや再配線…(記事を読む12/08 17:05

Si基板のGaNパワー・トランジスタ,耐圧を5倍に向上する技術をパナソニックが開発

 パナソニック セミコンダクター社は,シリコン(Si)基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)パワー・トランジスタの耐圧を,従来の5倍以上に向上できる技術を開発した。3000V以上の耐圧も実現可能とする。 (記事を読む12/08 15:46

Hynix社などが54nm世代の64Mビット・スピン注入MRAMを開発,DRAMプロセス適用などで低コスト化

韓国Hynix Semiconductor Inc.と米Grandis,Inc.は,54nm世代の製造プロセスに基づく64MビットSTT-RAM(spin torque transfer-RAM)を開発した(講演番号12.7)。(記事を読む12/08 14:52

ハーフピッチ9nmの世界最小ReRAMセルが登場,書き込み電流は1μA未満で正常動作を確認

台湾National Nano Device Laboratoriesと米University of California,Berkeleyは,ハーフピッチが9nmと極めて小さい抵抗変化型メモリ(ReRAM)・セルを開発,機能することを確認した(講演…(記事を読む12/08 14:49

グラフェンのポテンシャルを引き出す方法とは,東大がキャリア移動度の劣化機構を解析

 東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授の鳥海明氏と,同専攻 講師の長汐晃輔氏らのグループは,SiO2/Si基板とグラフェンの界面での相互作用が,グラフェンのキャリア移動度などの特性に与える影響を解析した(講演番…(記事を読む12/08 11:15

「業界最高のQ値」,1.8V動作のMEMS共振器をパナソニックとIMECが共同開発

 パナソニックとベルギーIMECは,共振の鋭さを表すQ値で「業界最高」(2010年12月7日時点,パナソニック調べ)の低電圧駆動MEMS共振器を共同開発したことを発表した。開発の技術の一部は,「2010 IEEE International Elec…(記事を読む12/07 17:07

ナノワイヤ・トランジスタの駆動力を東芝が58%向上,歪みSi技術の導入で

 東芝は,ナノワイヤ・トランジスタに歪みシリコン(Si)技術を適用することで,駆動力を58%できることを実証した。この成果は,「2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)」(…(記事を読む12/07 17:01

IntelがGeチャネルFETを披露,0.5V駆動の論理LSIを目指す

 米Intel Corp.は,Geをチャネルに用いたp型FETを開発した(講演番号6.7)。Geチャネルにひずみを加えることにより,ひずみSiチャネルを使う現行のp型FETをしのぐ正孔移動度を得ている。別途開発を進めているIII-V族半導体チャネルを…(記事を読む12/07 16:34

III-V族チャネルFETで独走するIntel,今回はマルチ・ゲート型を発表

 米Intel Corp.と米IQE Inc.は共同で,マルチ・ゲート構造のIII-V族半導体チャネルFETを開発した(講演番号6.1)。チャネルの制御性を高めた結果,平面構造のIII-V族半導体チャネルFETに比べて,SファクタやDIBL(drai…(記事を読む12/07 16:10

200GHz超えのグラフェンFET ,SamsungやIBMから発表相次ぐ

 「IEDM 2010」の開幕初日のセッションでは,遮断周波数が200GHzの大台を超えるグラフェンFETの発表が,韓国Samsung Advanced Institute of Technology(SAIT)や米IBM Corp.から相次いだ。い…(記事を読む12/07 15:25

Intel・Micronが25nm世代の64GビットMLC NANDフラッシュ発表,「量産品で最小のセル面積を達成」

米Intel Corp.と米Micron Technology,Inc.は,25nm世代の製造技術を利用した64GビットのMLC(multi level cell)NANDフラッシュ・メモリを「IEDM 2010」で発表した(論文番号5.2)。(記事を読む12/07 14:00

15nm世代のCMOSはどうなるか,ショート・コースは立ち見も出る異例の大盛況に

半導体製造技術関連の国際会議「2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)」の開幕前日に当たる2010年12月5日(日)に,「15nm CMOS Technology」と題され…(記事を読む12/06 14:41

明日から開幕,景気回復を受け参加者は1500人を上回る見通し《訂正あり》

 半導体デバイス技術関連で最大規模の国際会議「2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)」が米国サンフランシスコで2010年12月6日に開幕する。開幕前日の12月5日までの登…(記事を読む12/06 07:38

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