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HOMEエレクトロニクス機器ネプコン ジャパン / オートモーティブ ワールド 2013 > 【ネプコン】SiCのダイボンディングを無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術をニッシンが開発

ネプコン ジャパン / オートモーティブ ワールド 2013

【ネプコン】SiCのダイボンディングを無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術をニッシンが開発

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/21 19:37
  • 1/1ページ
 プラズマ処理装置などを手掛けるニッシン(兵庫県宝塚市)は、SiCパワーデバイスのダイボンディング(リードフレームへのSiCチップの接合)を無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術を開発し、その実験機「Micro Labo-PS3」の販売を2013年1月1日から開始する。詳細を2013年1月16~18日に東京ビッグサイトで開催される「半導体パッケージング展」に展示する。
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