• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

IEDM 2012

【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 17:53
  • 1/1ページ
 韓国SK Hynix社は、同社が開発中の3次元NANDフラッシュ・メモリ技術「SMArT(Stacked Memory Array Transistor)」について、「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)で招待講演した。この講演が行われたセッションでは、SK Hynix社の講演だけを聞きに来た聴講者も多く、会場は立ち見が続出した。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ