• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

IEDM 2012

【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 17:53
  • 1/1ページ
 韓国SK Hynix社は、同社が開発中の3次元NANDフラッシュ・メモリ技術「SMArT(Stacked Memory Array Transistor)」について、「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)で招待講演した。この講演が行われたセッションでは、SK Hynix社の講演だけを聞きに来た聴講者も多く、会場は立ち見が続出した。
【技術者塾】(6/3開催)
センサ情報活用のためのセンシングモデル化の基礎と応用


センサの活用のためには、センシング対象をいかにモデル化するかが技術構築の上で鍵となり、数理的・信号処理的や人工知能論的アプローチの活用が基本となります。本講演では、モデル化過程において幅広く使えるこれらのアプローチの基礎をできる限り実利用に沿う形で解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月3日
会場 : BIZ新宿 (東京・西新宿)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ