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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

IEDM 2012

【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 17:53
  • 1/1ページ
 韓国SK Hynix社は、同社が開発中の3次元NANDフラッシュ・メモリ技術「SMArT(Stacked Memory Array Transistor)」について、「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)で招待講演した。この講演が行われたセッションでは、SK Hynix社の講演だけを聞きに来た聴講者も多く、会場は立ち見が続出した。
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