• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

IEDM 2012

【IEDM】SK Hynixが3次元NANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷へ、「40層の一括加工が可能」

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 17:53
  • 1/1ページ
 韓国SK Hynix社は、同社が開発中の3次元NANDフラッシュ・メモリ技術「SMArT(Stacked Memory Array Transistor)」について、「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)で招待講演した。この講演が行われたセッションでは、SK Hynix社の講演だけを聞きに来た聴講者も多く、会場は立ち見が続出した。
【技術者塾】(6/16開催)
実用化迫る、自動運転支援のためのセンシング技術


安全で安心な自動運転車の実現に向けて、運転自動化支援に必要なセンシングアルゴリズムの基礎理論から、自動運転に向けたさまざまな応用技術、最近の話題などについて、分かりやすく解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月16日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ