韓国Samsung Electronics社は、NANDフラッシュ・メモリをしのぐ大容量の3次元ReRAM(抵抗変化型メモリ)の実現に向けた記憶素子技術を開発した(論文番号20.8)。書き換え電流が1μA未満と小さいことに加え、電流-電圧特性の非線形性が強く、非選択セルへの電流の回り込みを防ぎやすい。書き換え回数は107回以上を確認した。電流コンプライアンスの条件を変えることで、2ビット/セルの多値化が可能であることも示した。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。