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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】Samsungが大容量3次元ReRAMに向けた記憶素子を開発、多値化のポテンシャルも実証

IEDM 2012

【IEDM】Samsungが大容量3次元ReRAMに向けた記憶素子を開発、多値化のポテンシャルも実証

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 17:27
  • 1/1ページ
 韓国Samsung Electronics社は、NANDフラッシュ・メモリをしのぐ大容量の3次元ReRAM(抵抗変化型メモリ)の実現に向けた記憶素子技術を開発した(論文番号20.8)。書き換え電流が1μA未満と小さいことに加え、電流-電圧特性の非線形性が強く、非選択セルへの電流の回り込みを防ぎやすい。書き換え回数は107回以上を確認した。電流コンプライアンスの条件を変えることで、2ビット/セルの多値化が可能であることも示した。
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