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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】28nm世代のFDSOIを採用したスマホ向けSoC、STが実チップの特性を披露

IEDM 2012

【IEDM】28nm世代のFDSOIを採用したスマホ向けSoC、STが実チップの特性を披露

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/12 16:57
  • 1/1ページ
 伊仏合弁STMicroelectronics(ST)社は、28nm世代の完全空乏型SOI(FDSOI)トランジスタを採用したモバイル機器向けSoC(system on a chip)の実チップの特性を「IEDM 2012」で披露した。ST社の子会社であるスイスST-Ericsson社のSoC「Novathor」の次期プラットフォームにFDSOI技術を適用した結果である。IEDM 2012初日の夜にSOI Industry Consortiumが主催したイベント「Fully Depleted Transistors Technology Symposium」において、ST社 Executive Vice President, Front-End Manufacturing & Process R&D, Digital SectorのJoel Hartmann氏が明らかしたもの。
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