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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 「NANDの微細化にはプレーナ型浮遊ゲート・セルが有利」、Micronが招待講演

IEDM 2012

「NANDの微細化にはプレーナ型浮遊ゲート・セルが有利」、Micronが招待講演

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/11 16:47
  • 1/1ページ
 米Micron Technology社は、NANDフラッシュ・メモリの微細化を進める上でプレーナ型の浮遊ゲート・セルが有利であることを、「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)の招待講演で示した(講演番号2.1)。
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