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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】STがFDSOIの基板バイアスの効用を実証、CPUコアの消費電力を30%低減

IEDM 2012

【IEDM】STがFDSOIの基板バイアスの効用を実証、CPUコアの消費電力を30%低減

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/11 16:16
  • 1/1ページ
 伊仏合弁STMicroelectronics(ST)社は、完全空乏型SOI(FDSOI)トランジスタをリング発振回路やCPUコアに適用した場合に、基板側からのボディ・バイアスによって消費電力を大幅に低減できることを実証した(論文番号3.2)。リング発振回路では、ボディ・バイアスを加えない場合に比べて、動作速度を維持したまま動作時電力を最大90%低減できた。CPUコアでは、消費電力を30%低減できることをシミュレーションで示した。
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