• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】STがFDSOIの基板バイアスの効用を実証、CPUコアの消費電力を30%低減

IEDM 2012

【IEDM】STがFDSOIの基板バイアスの効用を実証、CPUコアの消費電力を30%低減

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/11 16:16
  • 1/1ページ
 伊仏合弁STMicroelectronics(ST)社は、完全空乏型SOI(FDSOI)トランジスタをリング発振回路やCPUコアに適用した場合に、基板側からのボディ・バイアスによって消費電力を大幅に低減できることを実証した(論文番号3.2)。リング発振回路では、ボディ・バイアスを加えない場合に比べて、動作速度を維持したまま動作時電力を最大90%低減できた。CPUコアでは、消費電力を30%低減できることをシミュレーションで示した。
【技術者塾】
「決定版! アナログ回路技術者に必須のオペアンプを完全理解」(2016年6月23日(木))


オペアンプを基礎から十分に理解できていなければ、アナログ回路を設計したり応用したりすることはできません。本講座では、オペアンプの役割から詳細設計、実際に使用されているオペアンプの応用までを1日でマスターします。詳細は、こちら
日時:2016年6月23日(木)10:00~17:00
会場:化学会館(東京・御茶ノ水)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ