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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】IBM、光変調器とGe光検出器を1チップに集積できる90nm世代CMOS技術を開発

IEDM 2012

【IEDM】IBM、光変調器とGe光検出器を1チップに集積できる90nm世代CMOS技術を開発

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/10 18:22
  • 1/1ページ
 米IBM社は、光変調器とGe光検出器(フォトダイオード)を1チップに集積できる90nm世代のCMOSプロセス技術を開発した。詳細を「IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」(2012年12月10~12日、米国サンフランシスコ)で発表する(講演番号33.8)。
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