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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】ルネサスがp型のアモルファス酸化物半導体でトランジスタ動作を確認、将来のCMOS化に道

IEDM 2012

【IEDM】ルネサスがp型のアモルファス酸化物半導体でトランジスタ動作を確認、将来のCMOS化に道

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/10 12:00
  • 1/1ページ
 ルネサス エレクトロニクスは、p型のアモルファス酸化物半導体でトランジスタ動作を確認した[講演番号18.8]。これまで開発が先行していたn型アモルファス酸化物半導体ベースのトランジスタと組み合わせて、CMOS回路を実現できる可能性がある。なお、今回の論文は競争率が高いことで知られるIEDMのLate Newsに採択された。

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